Trans GP BJT NPN 32V 4A 3Pin3+Tab TO-126 Rail
Bipolar BJT Transistor NPN 32V 4A 3MHz 36W Through Hole TO-126-3
得捷:
TRANS NPN 32V 4A TO126-3
艾睿:
Trans GP BJT NPN 32V 4A 3-Pin3+Tab TO-126 Rail
安富利:
Trans GP BJT NPN 32V 4A 3-Pin3+Tab TO-126 Rail
Chip1Stop:
Trans GP BJT NPN 32V 4A 3-Pin3+Tab TO-126 Rail
Newark:
# FAIRCHILD SEMICONDUCTOR BD435STU Bipolar BJT Single Transistor, NPN, 32 V, 3 MHz, 36 W, 4 A, 50 hFE
额定电压DC 32.0 V
额定电流 4.00 A
极性 NPN
耗散功率 36 W
击穿电压集电极-发射极 32 V
集电极最大允许电流 4A
最小电流放大倍数hFE 40 @10mA, 5V
额定功率Max 36 W
直流电流增益hFE 50
工作温度Max 150 ℃
耗散功率Max 36000 mW
安装方式 Through Hole
引脚数 3
封装 TO-126-3
封装 TO-126-3
工作温度 150℃ TJ
产品生命周期 Active
包装方式 Tube
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC版本 2015/06/15
ECCN代码 EAR99
| 型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
|---|---|---|
BD435STU Fairchild 飞兆/仙童 | 当前型号 | 当前型号 |
BD435S 安森美 | 功能相似 | BD435STU和BD435S的区别 |