ON SEMICONDUCTOR BD136G 单晶体管 双极, PNP, -45 V, 1.25 W, -1.5 A, 25 hFE 新
Implement this versatile PNP GP BJT from into an electronic circuit to be used as a current or voltage-controlled switch or amplifier. This bipolar junction transistor"s maximum emitter base voltage is 5 V. Its maximum power dissipation is 1250 mW. This bipolar junction transistor has an operating temperature range of -55 °C to 150 °C. It has a maximum collector emitter voltage of 45 V and a maximum emitter base voltage of 5 V.
额定电压DC -45.0 V
额定电流 -1.50 A
针脚数 3
极性 PNP, P-Channel
耗散功率 1.25 W
击穿电压集电极-发射极 45 V
热阻 10℃/W RθJC
集电极最大允许电流 1.5A
最小电流放大倍数hFE 40 @150mA, 2V
额定功率Max 1.25 W
直流电流增益hFE 25
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 1250 mW
安装方式 Through Hole
引脚数 3
封装 TO-126-3
长度 7.8 mm
宽度 2.66 mm
高度 11.04 mm
封装 TO-126-3
材质 Silicon
工作温度 -55℃ ~ 150℃
产品生命周期 Active
包装方式 Bulk
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC版本 2015/12/17
ECCN代码 EAR99
| 型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
|---|---|---|
BD136G ON Semiconductor 安森美 | 当前型号 | 当前型号 |
BD136 安森美 | 类似代替 | BD136G和BD136的区别 |
BD136-16 意法半导体 | 功能相似 | BD136G和BD136-16的区别 |