NPN功率晶体管 NPN power transistor
Bipolar BJT Transistor NPN 80 V 4 A - 36 W Through Hole SOT-32
得捷:
TRANS NPN 80V 4A SOT32
艾睿:
Trans GP BJT NPN 80V 4A 3-Pin3+Tab SOT-32 Tube
DeviceMart:
TRANS NPN 80V 4A SOT-32
极性 NPN
耗散功率 36 W
击穿电压集电极-发射极 80 V
最小电流放大倍数hFE 40 @500mA, 1V
额定功率Max 36 W
直流电流增益hFE 140
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -65 ℃
耗散功率Max 36000 mW
安装方式 Through Hole
引脚数 3
封装 TO-126-3
封装 TO-126-3
工作温度 150℃ TJ
产品生命周期 Not Recommended for New Designs
包装方式 Tube
RoHS标准
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
REACH SVHC版本 2015/12/17
| 型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
|---|---|---|
BD441 ST Microelectronics 意法半导体 | 当前型号 | 当前型号 |
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