BD140G

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BD140G概述

ON SEMICONDUCTOR  BD140G  单晶体管 双极, 通用, PNP, 80 V, 1.25 W, -1.5 A, 40 hFE

The is a 80V PNP bipolar medium-power Silicon Transistor designed for use as audio amplifiers and drivers utilizing complementary or quasi complementary circuits.

.
Complementary with BD139

得捷:
TRANS PNP 80V 1.5A TO126


立创商城:
BD140G


欧时:
BIP C77 PNP 1.5A 80V


e络盟:
单晶体管 双极, 通用, PNP, 80 V, 1.25 W, -1.5 A, 40 hFE


艾睿:
Trans GP BJT PNP 80V 1.5A 1250mW 3-Pin3+Tab TO-225 Box


安富利:
Trans GP BJT PNP 80V 1.5A 3-Pin TO-225 Box


Chip1Stop:
Trans GP BJT PNP 80V 1.5A 1250mW 3-Pin3+Tab TO-225 Box


TME:
Transistor: PNP; bipolar; 80V; 1.5A; 12.5W; TO225


Verical:
Trans GP BJT PNP 80V 1.5A 1250mW 3-Pin3+Tab TO-225 Box


Newark:
# ON SEMICONDUCTOR  BD140G  Bipolar BJT Single Transistor, General Purpose, PNP, 80 V, 65 W, -1.5 A, 40 hFE


Win Source:
TRANS PNP 80V 1.5A TO225AA


BD140G中文资料参数规格
技术参数

额定电压DC -80.0 V

额定电流 1.50 A

针脚数 3

极性 PNP, P-Channel

耗散功率 1.25 W

击穿电压集电极-发射极 80 V

集电极最大允许电流 1.5A

最小电流放大倍数hFE 40 @150mA, 2V

额定功率Max 1.25 W

直流电流增益hFE 40

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 1250 mW

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 3

封装 TO-126-3

外形尺寸

封装 TO-126-3

物理参数

材质 Silicon

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Bulk

制造应用 工业, Audio, Power Management, Industrial, 音频, 电源管理

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC

REACH SVHC版本 2015/12/17

海关信息

ECCN代码 EAR99

数据手册

在线购买BD140G
型号: BD140G
描述:ON SEMICONDUCTOR  BD140G  单晶体管 双极, 通用, PNP, 80 V, 1.25 W, -1.5 A, 40 hFE
替代型号BD140G
型号/品牌 代替类型 替代型号对比

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