BD681S

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BD681S概述

FAIRCHILD SEMICONDUCTOR  BD681S  单晶体管 双极, NPN, 100 V, 40 W, 4 A, 750 hFE

复合 NPN , Semiconductor

### 双极晶体管,Fairchild Semiconductor

双极性结点晶体管 BJT 板系列提供完整的解决方案,用于满足各种电路应用需求。 创新的封装设计用于提供最小尺寸、最高可靠性和最大热性能。


得捷:
TRANS NPN DARL 100V 4A TO126-3


欧时:
### 复合 NPN 晶体管,Fairchild Semiconductor### 双极晶体管,Fairchild Semiconductor双极性结点晶体管 BJT 板系列提供完整的解决方案,用于满足各种电路应用需求。 创新的封装设计用于提供最小尺寸、最高可靠性和最大热性能。


贸泽:
Darlington Transistors NPN Epitaxial Sil


艾睿:
Trans Darlington NPN 100V 4A 3-Pin3+Tab TO-126 Bulk


安富利:
Trans Darlington NPN 100V 4A 3-Pin3+Tab TO-126 Bulk


富昌:
NPN 40 W 100 V 4 A 通孔 外延硅 晶体管 - TO-126


Chip1Stop:
Trans Darlington NPN 100V 4A 3-Pin3+Tab TO-126 Bulk


TME:
Transistor: NPN; bipolar; Darlington; 100V; 4A; 40W; TO126


Verical:
Trans Darlington NPN 100V 4A 40000mW 3-Pin3+Tab TO-126 Bulk


Newark:
# FAIRCHILD SEMICONDUCTOR  BD681S  Bipolar BJT Single Transistor, NPN, 100 V, 40 W, 4 A, 750 hFE


DeviceMart:
TRANSISTOR NPN 100V 4A TO-126


Win Source:
TRANS NPN DARL 100V 4A TO-126


BD681S中文资料参数规格
技术参数

额定电压DC 100 V

额定电流 4.00 A

额定功率 40 W

针脚数 3

极性 NPN

耗散功率 40 W

击穿电压集电极-发射极 100 V

集电极最大允许电流 4A

最小电流放大倍数hFE 750 @1.5A, 3V

额定功率Max 40 W

直流电流增益hFE 750

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -65 ℃

耗散功率Max 40 W

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 3

封装 TO-126-3

外形尺寸

长度 8 mm

宽度 3.25 mm

高度 11 mm

封装 TO-126-3

物理参数

工作温度 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Bulk

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC

REACH SVHC版本 2015/06/15

海关信息

ECCN代码 EAR99

数据手册

在线购买BD681S
型号: BD681S
制造商: Fairchild 飞兆/仙童
描述:FAIRCHILD SEMICONDUCTOR  BD681S  单晶体管 双极, NPN, 100 V, 40 W, 4 A, 750 hFE
替代型号BD681S
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