FAIRCHILD SEMICONDUCTOR BD681S 单晶体管 双极, NPN, 100 V, 40 W, 4 A, 750 hFE
复合 NPN , Semiconductor
### 双极晶体管,Fairchild Semiconductor
双极性结点晶体管 BJT 板系列提供完整的解决方案,用于满足各种电路应用需求。 创新的封装设计用于提供最小尺寸、最高可靠性和最大热性能。
得捷:
TRANS NPN DARL 100V 4A TO126-3
欧时:
### 复合 NPN 晶体管,Fairchild Semiconductor### 双极晶体管,Fairchild Semiconductor双极性结点晶体管 BJT 板系列提供完整的解决方案,用于满足各种电路应用需求。 创新的封装设计用于提供最小尺寸、最高可靠性和最大热性能。
贸泽:
Darlington Transistors NPN Epitaxial Sil
艾睿:
Trans Darlington NPN 100V 4A 3-Pin3+Tab TO-126 Bulk
安富利:
Trans Darlington NPN 100V 4A 3-Pin3+Tab TO-126 Bulk
富昌:
NPN 40 W 100 V 4 A 通孔 外延硅 晶体管 - TO-126
Chip1Stop:
Trans Darlington NPN 100V 4A 3-Pin3+Tab TO-126 Bulk
TME:
Transistor: NPN; bipolar; Darlington; 100V; 4A; 40W; TO126
Verical:
Trans Darlington NPN 100V 4A 40000mW 3-Pin3+Tab TO-126 Bulk
Newark:
# FAIRCHILD SEMICONDUCTOR BD681S Bipolar BJT Single Transistor, NPN, 100 V, 40 W, 4 A, 750 hFE
DeviceMart:
TRANSISTOR NPN 100V 4A TO-126
Win Source:
TRANS NPN DARL 100V 4A TO-126
额定电压DC 100 V
额定电流 4.00 A
额定功率 40 W
针脚数 3
极性 NPN
耗散功率 40 W
击穿电压集电极-发射极 100 V
集电极最大允许电流 4A
最小电流放大倍数hFE 750 @1.5A, 3V
额定功率Max 40 W
直流电流增益hFE 750
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -65 ℃
耗散功率Max 40 W
安装方式 Through Hole
引脚数 3
封装 TO-126-3
长度 8 mm
宽度 3.25 mm
高度 11 mm
封装 TO-126-3
工作温度 150℃ TJ
产品生命周期 Active
包装方式 Bulk
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
REACH SVHC版本 2015/06/15
ECCN代码 EAR99
型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
---|---|---|
BD681S Fairchild 飞兆/仙童 | 当前型号 | 当前型号 |
BD681STU 飞兆/仙童 | 类似代替 | BD681S和BD681STU的区别 |
BD681 Multicomp | 类似代替 | BD681S和BD681的区别 |
BD681G 安森美 | 功能相似 | BD681S和BD681G的区别 |