BD675G

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BD675G概述

ON SEMICONDUCTOR  BD675G  单晶体管 双极, 达林顿, NPN, 45 V, 1 MHz, 40 W, 4 A, 750 hFE

NPN 复合,On Semiconductor

### 标准

带 S 或 NSV 前缀的制造商部件号具有汽车资格,符合 AEC-Q101 标准。


得捷:
TRANS NPN DARL 45V 4A TO126


立创商城:
BD675G


欧时:
### NPN 复合晶体管,On Semiconductor### 标准带 S 或 NSV 前缀的制造商部件号具有汽车资格,符合 AEC-Q101 标准。### 双极性晶体管,On SemiconductorON Semiconductor 的各种双极晶体管,包括以下类别:小信号晶体管 功率晶体管 双晶体管 复合晶体管对 高电压晶体管 射频晶体管 双极/FET 晶体管


e络盟:
单晶体管 双极, 达林顿, NPN, 45 V, 1 MHz, 40 W, 4 A, 750 hFE


艾睿:
Trans Darlington NPN 45V 4A 40000mW 3-Pin3+Tab TO-225 Box


安富利:
Trans Darlington NPN 45V 4A 3-Pin3+Tab TO-225 Box


TME:
Transistor: NPN; bipolar; Darlington; 45V; 4A; 40W; TO225


Verical:
Trans Darlington NPN 45V 4A 40000mW 3-Pin3+Tab TO-225 Box


Newark:
# ON SEMICONDUCTOR  BD675G  Bipolar BJT Single Transistor, Darlington, NPN, 45 V, 1 MHz, 40 W, 4 A, 750


Win Source:
TRANS NPN DARL 45V 4A TO225


BD675G中文资料参数规格
技术参数

额定电压DC 45.0 V

额定电流 4.00 A

无卤素状态 Halogen Free

针脚数 3

极性 NPN

耗散功率 40 W

击穿电压集电极-发射极 45 V

集电极最大允许电流 4A

最小电流放大倍数hFE 750 @1.5A, 3V

额定功率Max 40 W

直流电流增益hFE 750

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 40000 mW

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 3

封装 TO-126-3

外形尺寸

长度 7.74 mm

宽度 2.66 mm

高度 11.04 mm

封装 TO-126-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Bulk

制造应用 Industrial, 工业

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC

REACH SVHC版本 2015/12/17

海关信息

ECCN代码 EAR99

数据手册

BD675G引脚图与封装图
BD675G引脚图
BD675G封装焊盘图
在线购买BD675G
型号: BD675G
描述:ON SEMICONDUCTOR  BD675G  单晶体管 双极, 达林顿, NPN, 45 V, 1 MHz, 40 W, 4 A, 750 hFE
替代型号BD675G
型号/品牌 代替类型 替代型号对比

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