ON SEMICONDUCTOR BD675G 单晶体管 双极, 达林顿, NPN, 45 V, 1 MHz, 40 W, 4 A, 750 hFE
NPN 复合,On Semiconductor
### 标准
带 S 或 NSV 前缀的制造商部件号具有汽车资格,符合 AEC-Q101 标准。
得捷:
TRANS NPN DARL 45V 4A TO126
立创商城:
BD675G
欧时:
### NPN 复合晶体管,On Semiconductor### 标准带 S 或 NSV 前缀的制造商部件号具有汽车资格,符合 AEC-Q101 标准。### 双极性晶体管,On SemiconductorON Semiconductor 的各种双极晶体管,包括以下类别:小信号晶体管 功率晶体管 双晶体管 复合晶体管对 高电压晶体管 射频晶体管 双极/FET 晶体管
e络盟:
单晶体管 双极, 达林顿, NPN, 45 V, 1 MHz, 40 W, 4 A, 750 hFE
艾睿:
Trans Darlington NPN 45V 4A 40000mW 3-Pin3+Tab TO-225 Box
安富利:
Trans Darlington NPN 45V 4A 3-Pin3+Tab TO-225 Box
TME:
Transistor: NPN; bipolar; Darlington; 45V; 4A; 40W; TO225
Verical:
Trans Darlington NPN 45V 4A 40000mW 3-Pin3+Tab TO-225 Box
Newark:
# ON SEMICONDUCTOR BD675G Bipolar BJT Single Transistor, Darlington, NPN, 45 V, 1 MHz, 40 W, 4 A, 750
Win Source:
TRANS NPN DARL 45V 4A TO225
额定电压DC 45.0 V
额定电流 4.00 A
无卤素状态 Halogen Free
针脚数 3
极性 NPN
耗散功率 40 W
击穿电压集电极-发射极 45 V
集电极最大允许电流 4A
最小电流放大倍数hFE 750 @1.5A, 3V
额定功率Max 40 W
直流电流增益hFE 750
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 40000 mW
安装方式 Through Hole
引脚数 3
封装 TO-126-3
长度 7.74 mm
宽度 2.66 mm
高度 11.04 mm
封装 TO-126-3
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
产品生命周期 Active
包装方式 Bulk
制造应用 Industrial, 工业
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
REACH SVHC版本 2015/12/17
ECCN代码 EAR99
型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
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BD675G ON Semiconductor 安森美 | 当前型号 | 当前型号 |
BD675 安森美 | 完全替代 | BD675G和BD675的区别 |
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