INFINEON BSP320SH6327XTSA1 晶体管, MOSFET, N沟道, 2.9 A, 60 V, 0.09 ohm, 10 V, 3 V 新
SIPMOS® N 通道 MOSFET
得捷:
MOSFET N-CH 60V 2.9A SOT223-4
欧时:
Infineon SIPMOS 系列 Si N沟道 MOSFET BSP320SH6327XTSA1, 2.9 A, Vds=60 V, 3针+焊片 SOT-223封装
立创商城:
N沟道 60V 2.9A
e络盟:
功率场效应管, MOSFET, N沟道, 60 V, 2.9 A, 0.09 ohm, SOT-223, 表面安装
艾睿:
Trans MOSFET N-CH 60V 2.9A Automotive 4-Pin3+Tab SOT-223 T/R
安富利:
Trans MOSFET N-CH 60V 2.9A 4-Pin SOT-223 T/R
TME:
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 2.9A; 1.8W; SOT223
Verical:
Trans MOSFET N-CH 60V 2.9A Automotive 4-Pin3+Tab SOT-223 T/R
Newark:
# INFINEON BSP320SH6327XTSA1 MOSFET, N-CH, 60V, 2.9A, SOT-223-4 New
Win Source:
MOSFET N-CH 60V 2.9A SOT223
额定功率 1.8 W
通道数 1
针脚数 4
漏源极电阻 0.09 Ω
极性 N-Channel
耗散功率 1.8 W
阈值电压 3 V
漏源极电压Vds 60 V
连续漏极电流Ids 2.9A
上升时间 25 ns
输入电容Ciss 340pF @25VVds
额定功率Max 1.8 W
下降时间 35 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 1.8W Ta
安装方式 Surface Mount
引脚数 4
封装 TO-261-4
长度 6.5 mm
宽度 3.5 mm
高度 1.6 mm
封装 TO-261-4
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
制造应用 Onboard charger
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC版本 2015/12/17
型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
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BSP320SH6327XTSA1 Infineon 英飞凌 | 当前型号 | 当前型号 |
BSP320SH6433 英飞凌 | 功能相似 | BSP320SH6327XTSA1和BSP320SH6433的区别 |