BSP320SH6327XTSA1

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BSP320SH6327XTSA1概述

INFINEON  BSP320SH6327XTSA1  晶体管, MOSFET, N沟道, 2.9 A, 60 V, 0.09 ohm, 10 V, 3 V 新

SIPMOS® N 通道 MOSFET


得捷:
MOSFET N-CH 60V 2.9A SOT223-4


欧时:
Infineon SIPMOS 系列 Si N沟道 MOSFET BSP320SH6327XTSA1, 2.9 A, Vds=60 V, 3针+焊片 SOT-223封装


立创商城:
N沟道 60V 2.9A


e络盟:
功率场效应管, MOSFET, N沟道, 60 V, 2.9 A, 0.09 ohm, SOT-223, 表面安装


艾睿:
Trans MOSFET N-CH 60V 2.9A Automotive 4-Pin3+Tab SOT-223 T/R


安富利:
Trans MOSFET N-CH 60V 2.9A 4-Pin SOT-223 T/R


TME:
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 2.9A; 1.8W; SOT223


Verical:
Trans MOSFET N-CH 60V 2.9A Automotive 4-Pin3+Tab SOT-223 T/R


Newark:
# INFINEON  BSP320SH6327XTSA1  MOSFET, N-CH, 60V, 2.9A, SOT-223-4 New


Win Source:
MOSFET N-CH 60V 2.9A SOT223


BSP320SH6327XTSA1中文资料参数规格
技术参数

额定功率 1.8 W

通道数 1

针脚数 4

漏源极电阻 0.09 Ω

极性 N-Channel

耗散功率 1.8 W

阈值电压 3 V

漏源极电压Vds 60 V

连续漏极电流Ids 2.9A

上升时间 25 ns

输入电容Ciss 340pF @25VVds

额定功率Max 1.8 W

下降时间 35 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 1.8W Ta

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 4

封装 TO-261-4

外形尺寸

长度 6.5 mm

宽度 3.5 mm

高度 1.6 mm

封装 TO-261-4

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

制造应用 Onboard charger

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC版本 2015/12/17

数据手册

在线购买BSP320SH6327XTSA1
型号: BSP320SH6327XTSA1
描述:INFINEON  BSP320SH6327XTSA1  晶体管, MOSFET, N沟道, 2.9 A, 60 V, 0.09 ohm, 10 V, 3 V 新
替代型号BSP320SH6327XTSA1
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