INFINEON BSL307SPH6327XTSA1 晶体管, MOSFET, P沟道, -5.5 A, -30 V, 0.031 ohm, -10 V, -1.5 V 新
OptiMOS™P P 通道功率 MOSFET
**Infineon** **OptiMOS**™ P 通道电源 MOSFET 设计用于提供增强功能,以便达到质量指标。 特征包括超低切换损耗、通态电阻、雪崩额定值以及达到汽车解决方案的 AEC 标准。 应用包括:直流-直流、电动机控制、汽车和 eMobility。
增强型模式
雪崩等级
低切换和传导功率损耗
无铅引线电镀;符合 RoHS 标准
标准封装
OptiMOS™ P 通道系列:温度范围为 -55°C 至 +175°C
得捷:
MOSFET P-CH 30V 5.5A 6TSOP
欧时:
Infineon MOSFET BSL307SP H6327
贸泽:
MOSFET SMALL SIGNAL+P-CH
e络盟:
晶体管, MOSFET, P沟道, -5.5 A, -30 V, 0.031 ohm, -10 V, -1.5 V
艾睿:
Looking for a component that can both amplify and switch between signals within your circuit? The BSL307SPH6327XTSA1 power MOSFET from Infineon Technologies provides the solution. Its maximum power dissipation is 2000 mW. This product will be shipped in tape and reel packaging to allow for quick mounting and safe delivery. This device utilizes optimos-p technology. This P channel MOSFET transistor operates in enhancement mode. This MOSFET transistor has an operating temperature range of -55 °C to 150 °C.
安富利:
Trans MOSFET P-CH 30V 5.5A 6-Pin TSOP T/R
TME:
Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -5.5A; 2W; PG-TSOP-6
Verical:
Trans MOSFET P-CH 30V 5.5A Automotive 6-Pin TSOP T/R
Newark:
# INFINEON BSL307SPH6327XTSA1 MOSFET, P-CH, -30V, -5.5A, TSOP-6 New
Win Source:
MOSFET P-CH 30V 5.5A 6TSOP
额定功率 2 W
通道数 1
针脚数 6
漏源极电阻 0.031 Ω
极性 P-Channel
耗散功率 2 W
阈值电压 2 V
漏源极电压Vds 30 V
漏源击穿电压 30 V
连续漏极电流Ids 5.5A
上升时间 8.4 ns
输入电容Ciss 805pF @25VVds
额定功率Max 2 W
下降时间 29 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 2W Ta
安装方式 Surface Mount
引脚数 6
封装 TSOP-6-1
长度 3 mm
宽度 1.5 mm
高度 1.1 mm
封装 TSOP-6-1
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
制造应用 Onboard charger
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC版本 2015/12/17