BD137G

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BD137G概述

ON SEMICONDUCTOR  BD137G  单晶体管 双极, 通用, NPN, 60 V, 65 W, 1.5 A, 40 hFE

通用 PNP ,超过 1A,

### 标准

带 S 或 NSV 前缀的制造商部件号具有汽车资格,符合 AEC-Q101 标准。


得捷:
TRANS NPN 60V 1.5A TO126


欧时:
ON Semiconductor BD137G , NPN 晶体管, 1.5 A, Vce=60 V, HFE:25, 3引脚 TO-225封装


贸泽:
Bipolar Transistors - BJT 1.5A 60V 12.5W NPN


艾睿:
Trans GP BJT NPN 60V 1.5A 1250mW 3-Pin3+Tab TO-225 Box


Allied Electronics:
ON Semi BD137G NPN Bipolar Transistor, 1.5 A, 60 V, 3-Pin TO-225


安富利:
Trans GP BJT NPN 60V 1.5A 3-Pin TO-225 Bulk


Chip1Stop:
Trans GP BJT NPN 60V 1.5A 3-Pin TO-225 Bulk


TME:
Transistor: NPN; bipolar; 60V; 1.5A; 12W; TO126


Verical:
Trans GP BJT NPN 60V 1.5A 1250mW 3-Pin3+Tab TO-225 Box


Newark:
# ON SEMICONDUCTOR  BD137G  Bipolar BJT Single Transistor, General Purpose, NPN, 60 V, 65 W, 1.5 A, 250 hFE


Win Source:
TRANS NPN 60V 1.5A TO-225AA


BD137G中文资料参数规格
技术参数

频率 50 MHz

额定电压DC 60.0 V

额定电流 6.00 A

针脚数 3

极性 NPN

耗散功率 65 W

击穿电压集电极-发射极 60 V

集电极最大允许电流 1.5A

最小电流放大倍数hFE 40 @150mA, 2V

额定功率Max 1.25 W

直流电流增益hFE 40

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 1.25 W

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 3

封装 TO-126-3

外形尺寸

长度 7.74 mm

宽度 2.66 mm

高度 11.04 mm

封装 TO-126-3

物理参数

材质 Silicon

工作温度 -55℃ ~ 150℃

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Bulk

制造应用 Power Management, 音频, 工业, Industrial, Audio, 电源管理

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC

REACH SVHC版本 2016/06/20

海关信息

ECCN代码 EAR99

数据手册

BD137G引脚图与封装图
BD137G引脚图
BD137G封装图
BD137G封装焊盘图
在线购买BD137G
型号: BD137G
描述:ON SEMICONDUCTOR  BD137G  单晶体管 双极, 通用, NPN, 60 V, 65 W, 1.5 A, 40 hFE
替代型号BD137G
型号/品牌 代替类型 替代型号对比

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