ON SEMICONDUCTOR BD680G 单晶体管 双极, PNP, -80 V, 200 MHz, 40 W, -4 A, 750 hFE
This series of plastic, medium-power PNP Darlington transistors can be used as output devices in complementary general-purpose amplifier applications.
Features
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- High DC Current Gain -
hFE = 750 Min @ IC = 1.5 and 2.0 Adc
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- Monolithic Construction
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- BD676, 676A, 678, 678A, 680, 680A, 682
are complementary with BD675, 675A, 677, 677A, 679, 679A, 681
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- BD 678, 678A, 680, 680A
are equivalent to MJE 700, 701, 702, 703
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- Pb-Free Packages are Available
额定电压DC -80.0 V
额定电流 -4.00 A
无卤素状态 Halogen Free
针脚数 3
极性 PNP
耗散功率 40 W
击穿电压集电极-发射极 80 V
集电极最大允许电流 4A
最小电流放大倍数hFE 750 @1.5A, 3V
最大电流放大倍数hFE 750 @1.5A, 3V
额定功率Max 40 W
直流电流增益hFE 750
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 40000 mW
安装方式 Through Hole
引脚数 3
封装 TO-126-3
长度 7.74 mm
宽度 2.66 mm
高度 11.04 mm
封装 TO-126-3
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
产品生命周期 Active
包装方式 Bulk
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
REACH SVHC版本 2015/12/17
ECCN代码 EAR99
| 型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
|---|---|---|
BD680G ON Semiconductor 安森美 | 当前型号 | 当前型号 |
BD680 安森美 | 完全替代 | BD680G和BD680的区别 |
MJE702G 安森美 | 类似代替 | BD680G和MJE702G的区别 |