NPN外延硅晶体管 NPN Epitaxial Silicon Transistor
Bipolar BJT Transistor NPN - Darlington 45V 4A 40W Through Hole TO-126-3
得捷:
TRANS NPN DARL 45V 4A TO126-3
贸泽:
达林顿晶体管 NPN Epitaxial Sil
艾睿:
Trans Darlington NPN 45V 4A 3-Pin3+Tab TO-126 Bulk
Chip1Stop:
Trans Darlington NPN 45V 4A 3-Pin3+Tab TO-126 Bulk
TME:
Transistor: NPN; bipolar; Darlington; 45V; 4A; 40W; TO126
Verical:
Trans Darlington NPN 45V 4A 40000mW 3-Pin3+Tab TO-126 Bulk
DeviceMart:
TRANSISTOR NPN 45V 4A TO-126
额定电压DC 45.0 V
额定电流 4.00 A
额定功率 40 W
极性 NPN
耗散功率 40 W
击穿电压集电极-发射极 45 V
集电极最大允许电流 4A
最小电流放大倍数hFE 750 @2A, 3V
额定功率Max 40 W
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -65 ℃
耗散功率Max 40000 mW
安装方式 Through Hole
引脚数 3
封装 TO-126-3
长度 8 mm
宽度 3.25 mm
高度 11.2 mm
封装 TO-126-3
工作温度 150℃ TJ
产品生命周期 Active
包装方式 Bulk
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
ECCN代码 EAR99
| 型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
|---|---|---|
BD675AS Fairchild 飞兆/仙童 | 当前型号 | 当前型号 |
BD675G 安森美 | 功能相似 | BD675AS和BD675G的区别 |
BD675AG 安森美 | 功能相似 | BD675AS和BD675AG的区别 |