ON SEMICONDUCTOR BD179G 单晶体管 双极, 通用, NPN, 80 V, 3 MHz, 30 W, 3 A, 3 hFE
是一款80V NPN中等功率硅双极, 设计用于5至10W音频放大器和驱动器, 互补或准互补电路。
得捷:
TRANS NPN 80V 3A TO126
贸泽:
Bipolar Transistors - BJT 3A 80V 30W NPN
艾睿:
Trans GP BJT NPN 80V 3A 30000mW 3-Pin3+Tab TO-225 Box
安富利:
Trans GP BJT NPN 80V 3A 3-Pin TO-225 Bulk
Chip1Stop:
Trans GP BJT NPN 80V 3A 3-Pin TO-225 Bulk
Verical:
Trans GP BJT NPN 80V 3A 30000mW 3-Pin3+Tab TO-225 Box
Newark:
# ON SEMICONDUCTOR BD179G Bipolar BJT Single Transistor, General Purpose, NPN, 80 V, 3 MHz, 30 W, 3 A, 3 hFE
Win Source:
TRANS NPN 80V 3A TO-225
频率 3 MHz
额定电压DC 80.0 V
额定电流 3.00 A
针脚数 3
极性 NPN
耗散功率 30 W
增益频宽积 3 MHz
击穿电压集电极-发射极 80 V
集电极最大允许电流 3A
最小电流放大倍数hFE 63 @150mA, 2V
额定功率Max 30 W
直流电流增益hFE 3
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -65 ℃
耗散功率Max 30000 mW
安装方式 Through Hole
引脚数 3
封装 TO-126-3
长度 7.74 mm
宽度 2.66 mm
高度 11.04 mm
封装 TO-126-3
材质 Silicon
工作温度 -65℃ ~ 150℃ TJ
产品生命周期 Active
包装方式 Bulk
制造应用 Industrial, 电源管理, 工业, Audio, 音频, Power Management
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
REACH SVHC版本 2015/12/17
ECCN代码 EAR99
型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
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