PNP 功率晶体管，STMicroelectronics### 双极晶体管，STMicroelectronicsSTMicroelectronics 的各种 NPN 和 PNP 双极性晶体管，包括通用、达林顿、功率和高电压设备，采用表面安装和通孔封装。
PNP 功率，STMicroelectronics
得捷:
TRANS PNP 80V 4A SOT32
欧时:
### PNP 功率晶体管，STMicroelectronics### 双极晶体管，STMicroelectronicsSTMicroelectronics 的各种 NPN 和 PNP 双极性晶体管，包括通用、达林顿、功率和高电压设备，采用表面安装和通孔封装。
贸泽:
Bipolar Transistors - BJT IGBT & Power Bipolar
艾睿:
Trans GP BJT PNP 80V 4A 3-Pin3+Tab SOT-32 Tube
Chip1Stop:
Trans GP BJT PNP 80V 4A 3-Pin3+Tab SOT-32 Tube
TME:
Transistor: PNP; bipolar; 80V; 4A; 36W; TO126
Verical:
Trans GP BJT PNP 80V 4A 3-Pin3+Tab SOT-32 Tube
Win Source:
TRANS PNP 80V 4A SOT-32
DeviceMart:
TRANS PNP 80V 4A SOT-32
频率 3 MHz
耗散功率 36 W
增益频宽积 3 MHz
击穿电压集电极-发射极 80 V
最小电流放大倍数hFE 15
额定功率Max 36 W
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -65 ℃
耗散功率Max 36 W
安装方式 Through Hole
引脚数 3
封装 TO-126-3
长度 7.8 mm
宽度 2.7 mm
高度 10.8 mm
封装 TO-126-3
工作温度 150℃ TJ
产品生命周期 Not Recommended for New Designs
包装方式 Tube
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 无铅
