BD439S中文资料参数规格
技术参数
频率 3 MHz
额定电压DC 60.0 V
额定电流 4.00 A
极性 NPN
耗散功率 36 W
击穿电压集电极-发射极 60 V
集电极最大允许电流 4A
最小电流放大倍数hFE 20 @10mA, 5V
额定功率Max 36 W
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -65 ℃
耗散功率Max 36000 mW
封装参数
安装方式 Through Hole
引脚数 3
封装 TO-126-3
外形尺寸
高度 11.2 mm
封装 TO-126-3
物理参数
材质 Silicon
工作温度 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Bulk
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
海关信息
ECCN代码 EAR99
在线购买BD439S
替代型号BD439S
| 型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
|---|---|---|
BD439S Fairchild 飞兆/仙童 | 当前型号 | 当前型号 |
BD439G 安森美 | 功能相似 | BD439S和BD439G的区别 |
BD439LEADFREE Central Semiconductor | 功能相似 | BD439S和BD439LEADFREE的区别 |