BFP405H6327XTSA1

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BFP405H6327XTSA1概述

INFINEON  BFP405H6327XTSA1  晶体管 双极-射频, NPN, 4.5 V, 25 GHz, 75 mW, 25 mA, 60 hFE

射频双极,


欧时:
Infineon BFP405H6327XTSA1 , NPN 晶体管, 25 mA, Vce=4.5 V, HFE:60, 25000 MHz, 4引脚 SOT-343封装


得捷:
RF TRANS NPN 5V 25GHZ SOT343


艾睿:
Superior characteristics of this BFP405H6327XTSA1 RF amplifier from Infineon Technologies make it perfect for operating at higher RF frequency ranges than RF MOSFETS. This RF transistor has an operating temperature range of -65 °C to 150 °C.


Chip1Stop:
Trans RF BJT NPN 4.5V 0.025A 75mW Automotive 4-Pin3+Tab SOT-343 T/R


Verical:
Trans RF BJT NPN 4.5V 0.025A 75mW Automotive 4-Pin3+Tab SOT-343 T/R


Newark:
# INFINEON  BFP405H6327XTSA1  Bipolar - RF Transistor, NPN, 4.5 V, 25 GHz, 75 mW, 25 mA, 60


Win Source:
TRANS RF NPN 4.5V 25MA SOT343


BFP405H6327XTSA1中文资料参数规格
技术参数

频率 25000 MHz

针脚数 4

极性 NPN

耗散功率 75 mW

输入电容 0.29 pF

击穿电压集电极-发射极 5 V

增益 23 dB

最小电流放大倍数hFE 60 @5mA, 4V

额定功率Max 75 mW

直流电流增益hFE 60

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -65 ℃

耗散功率Max 75 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 4

封装 SOT-343

外形尺寸

长度 2 mm

宽度 1.25 mm

高度 0.9 mm

封装 SOT-343

物理参数

材质 Silicon

工作温度 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

制造应用 For amplifier and oscillator applications in RF Front-end, Wireless Communications

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC

REACH SVHC版本 2015/12/17

海关信息

ECCN代码 EAR99

数据手册

BFP405H6327XTSA1引脚图与封装图
BFP405H6327XTSA1引脚图
BFP405H6327XTSA1封装图
BFP405H6327XTSA1封装焊盘图
在线购买BFP405H6327XTSA1
型号: BFP405H6327XTSA1
描述:INFINEON  BFP405H6327XTSA1  晶体管 双极-射频, NPN, 4.5 V, 25 GHz, 75 mW, 25 mA, 60 hFE
替代型号BFP405H6327XTSA1
型号/品牌 代替类型 替代型号对比

BFP405H6327XTSA1

Infineon 英飞凌

当前型号

当前型号

BFP405H6740XTSA1

英飞凌

完全替代

BFP405H6327XTSA1和BFP405H6740XTSA1的区别

BFP 405 H6433

英飞凌

完全替代

BFP405H6327XTSA1和BFP 405 H6433的区别

BFP405

英飞凌

功能相似

BFP405H6327XTSA1和BFP405的区别

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