BFP840ESDH6327XTSA1

INFINEON  BFP840ESDH6327XTSA1  晶体管 双极-射频, NPN, 2.25 V, 80 GHz, 75 mW, 35 mA, 150 hFE

SiGe 射频双极，

来自 Infineon 的一系列超低噪声宽带 NPN 双极射频晶体管。 这些异质结双极性设备采用 Infineon 的硅锗:碳 SiGe:C 材料技术，特别适用于低功耗为关键要求的移动应用。 借助典型的高达 65 GHz 传输频率，这些设备用于放大器时可提供高达 10GHz 频率的高功率增益。 晶体管包括用于 ESD 的内部电路和过度射频输入电源保护。

### 双极晶体管，Infineon

欧时:
### SiGe 射频双极晶体管，Infineon来自 Infineon 的一系列超低噪声宽带 NPN 双极射频晶体管。 这些异质结双极性设备采用 Infineon 的硅锗:碳 SiGe:C 材料技术，特别适用于低功耗为关键要求的移动应用。 借助典型的高达 65 GHz 传输频率，这些设备用于放大器时可提供高达 10GHz 频率的高功率增益。 晶体管包括用于 ESD 的内部电路和过度射频输入电源保护。### 双极晶体管，Infineon

得捷:
BFP840 - ULTRA LOW-NOISE SIGE:C

贸泽:
RF Bipolar Transistors RF BIP TRANSISTORS

e络盟:
晶体管 双极-射频, NPN, 2.25 V, 80 GHz, 75 mW, 35 mA, 150 hFE

艾睿:
Trans RF BJT NPN 2.25V 0.035A 75mW Automotive 4-Pin3+Tab SOT-343 T/R

安富利:
Trans GP BJT NPN 2.25V 0.035A 4-Pin SOT-343 T/R

Chip1Stop:
Trans GP BJT NPN 2.25V 0.035A 4-Pin3+Tab SOT-343 T/R

Verical:
Trans RF BJT NPN 2.25V 0.035A 75mW Automotive 4-Pin3+Tab SOT-343 T/R

Newark:
# INFINEON  BFP840ESDH6327XTSA1  Bipolar - RF Transistor, NPN, 2.25 V, 80 GHz, 75 mW, 35 mA, 150

Win Source:
IC TRANSISTOR RF NPN SOT343-4