中功率线性和开关应用 Medium Power Linear and Switching Applications
Applications
• Complement to BD433, BD435 and BD437 respectively
贸泽:
Bipolar Transistors - BJT PNP Epitaxial Sil
艾睿:
Trans GP BJT PNP 22V 4A 3-Pin3+Tab TO-126 Bulk
安富利:
Trans GP BJT PNP 22V 4A 3-Pin3+Tab TO-126 Bulk
Chip1Stop:
Trans GP BJT PNP 22V 4A 3-Pin3+Tab TO-126 Bulk
Verical:
Trans GP BJT PNP 22V 4A 3-Pin3+Tab TO-126 Bulk
Win Source:
TRANS PNP 22V 4A TO-126
频率 3 MHz
额定电压DC -22.0 V
额定电流 -4.00 A
极性 PNP
耗散功率 36 W
增益频宽积 3 MHz
击穿电压集电极-发射极 22 V
集电极最大允许电流 4A
最小电流放大倍数hFE 40 @10mA, 5V
额定功率Max 36 W
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min 65 ℃
耗散功率Max 36 W
安装方式 Through Hole
封装 TO-126-3
长度 8 mm
宽度 3.25 mm
高度 11 mm
封装 TO-126-3
工作温度 150℃ TJ
产品生命周期 Active
包装方式 Bulk
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
ECCN代码 EAR99
| 型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
|---|---|---|
BD434S Fairchild 飞兆/仙童 | 当前型号 | 当前型号 |
BD434STU 飞兆/仙童 | 完全替代 | BD434S和BD434STU的区别 |
BD434 意法半导体 | 功能相似 | BD434S和BD434的区别 |
BD434S_NL 飞兆/仙童 | 功能相似 | BD434S和BD434S_NL的区别 |