BSP32,115

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BSP32,115概述

SC-73 PNP 80V 1A

Bipolar BJT Transistor PNP 80V 1A 100MHz 1.3W Surface Mount SOT-223


得捷:
NOW NEXPERIA BSP32 - POWER BIPOL


艾睿:
Trans GP BJT PNP 80V 1A Automotive 4-Pin3+Tab SC-73 T/R


安富利:
Trans GP BJT PNP 80V 1A 4-Pin3+Tab SOT-223 T/R


Verical:
Trans GP BJT PNP 80V 1A Automotive 4-Pin3+Tab SC-73 T/R


DeviceMart:
TRANS PNP 80V 1000MA SOT223


BSP32,115中文资料参数规格
技术参数

频率 100 MHz

极性 PNP

耗散功率 1.3 W

击穿电压集电极-发射极 80 V

集电极最大允许电流 1A

最小电流放大倍数hFE 40 @100mA, 5V

额定功率Max 1.3 W

耗散功率Max 1300 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

封装 TO-261-4

外形尺寸

封装 TO-261-4

物理参数

工作温度 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买BSP32,115
型号: BSP32,115
制造商: NXP 恩智浦
描述:SC-73 PNP 80V 1A
替代型号BSP32,115
型号/品牌 代替类型 替代型号对比

BSP32,115

NXP 恩智浦

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