BD441G

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BD441G概述

ON SEMICONDUCTOR  BD441G  Bipolar BJT Single Transistor, NPN, 80 V, 3 MHz, 36 W, 4 A, 15 hFE 新

4.0 AMPERES POWER TRANSISTORS NPN SILICON

This series of plastic, medium−power silicon NPN transistors can be used for amplifier and switching applications.

Features

•Complementary Types are BD438 and BD442

•These Devices are Pb−Free and are RoHS Compliant
.

得捷:
TRANS NPN 80V 4A TO126


欧时:
ON Semiconductor, BD441G


贸泽:
Bipolar Transistors - BJT 4A 80V 36W NPN


e络盟:
Bipolar BJT Single Transistor, NPN, 80 V, 3 MHz, 36 W, 4 A, 15 hFE


艾睿:
Trans GP BJT NPN 80V 4A 36000mW 3-Pin3+Tab TO-225 Box


TME:
Transistor: NPN; bipolar; 80V; 4A; 36W; TO225


Verical:
Trans GP BJT NPN 80V 4A 36000mW 3-Pin3+Tab TO-225 Box


Newark:
# ON SEMICONDUCTOR  BD441G  TRANSISTOR, BIPOL, NPN, 80V, TO-225-3


BD441G中文资料参数规格
技术参数

频率 3 MHz

额定电压DC 80.0 V

额定电流 4.00 A

针脚数 3

极性 NPN

耗散功率 36 W

增益频宽积 3 MHz

击穿电压集电极-发射极 80 V

集电极最大允许电流 4A

最小电流放大倍数hFE 40 @500mA, 1V

额定功率Max 36 W

直流电流增益hFE 15

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min 55 ℃

耗散功率Max 36000 mW

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 3

封装 TO-225-3

外形尺寸

长度 7.74 mm

宽度 2.66 mm

高度 11.04 mm

封装 TO-225-3

物理参数

材质 Silicon

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Bulk

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC版本 2015/12/17

海关信息

ECCN代码 EAR99

数据手册

在线购买BD441G
型号: BD441G
描述:ON SEMICONDUCTOR  BD441G  Bipolar BJT Single Transistor, NPN, 80 V, 3 MHz, 36 W, 4 A, 15 hFE 新
替代型号BD441G
型号/品牌 代替类型 替代型号对比

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