BD682G

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BD682G概述

ON SEMICONDUCTOR  BD682G  单晶体管 双极, 达林顿, PNP, -100 V, 40 W, -4 A, 750 hFE

The is a PNP medium-power Darlington Transistor can be used as output device in complementary general-purpose amplifier applications.

.
Monolithic construction
.
Complementary with BD681

得捷:
TRANS PNP DARL 100V 4A TO126


欧时:
BIP C77 PNP 4A 100V


立创商城:
4.0 A,100 V,PNP 达林顿双极功率晶体管


贸泽:
Darlington Transistors 4A 100V 40W PNP


e络盟:
单晶体管 双极, 达林顿, PNP, -100 V, 40 W, -4 A, 750 hFE


艾睿:
Trans Darlington PNP 100V 4A 40000mW 3-Pin3+Tab TO-225 Box


安富利:
Trans Darlington PNP 100V 4A 3-Pin3+Tab TO-225 Box


Chip1Stop:
Trans Darlington PNP 100V 4A 3-Pin3+Tab TO-225 Box


TME:
Transistor: PNP; bipolar; Darlington; 100V; 4A; 40W; TO225


Verical:
Trans Darlington PNP 100V 4A 40000mW 3-Pin3+Tab TO-225 Box


Newark:
# ON SEMICONDUCTOR  BD682G  Bipolar BJT Single Transistor, Darlington, PNP, -100 V, 40 W, -4 A, 750 hFE


Win Source:
TRANS PNP DARL 100V 4A TO225AA


BD682G中文资料参数规格
技术参数

额定电压DC -100 V

额定电流 4.00 A

无卤素状态 Halogen Free

针脚数 3

极性 PNP, P-Channel

耗散功率 40 W

击穿电压集电极-发射极 100 V

集电极最大允许电流 4A

最小电流放大倍数hFE 750 @1.5A, 3V

额定功率Max 40 W

直流电流增益hFE 750

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 40000 mW

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 3

封装 TO-225-3

外形尺寸

长度 7.74 mm

宽度 2.66 mm

高度 11.04 mm

封装 TO-225-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Bulk

制造应用 Power Management, 电源管理, 工业, Industrial

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC

REACH SVHC版本 2015/12/17

海关信息

ECCN代码 EAR99

数据手册

在线购买BD682G
型号: BD682G
描述:ON SEMICONDUCTOR  BD682G  单晶体管 双极, 达林顿, PNP, -100 V, 40 W, -4 A, 750 hFE
替代型号BD682G
型号/品牌 代替类型 替代型号对比

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