BSC059N04LSGATMA1

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BSC059N04LSGATMA1概述

INFINEON  BSC059N04LSGATMA1  晶体管, MOSFET, N沟道, 73 A, 40 V, 4.9 mohm, 10 V, 1.2 V

The BSC059N04LS G is a 40V N-channel Power MOSFET optimized for synchronous rectification in switched mode power supplies SMPS such as those found in servers, desktops and tablet charger. The MOSFET is ideal for fast switching applications. Dramatically reduced gate charge and output charge enable high system efficiency and power density. The OptiMOS™ power MOSFET is ideally suited for high frequency switching and DC-DC converters.

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Highest system efficiency
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Less paralleling required
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Increased power density
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Saving space
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Very low voltage overshoot
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Superior thermal resistance
BSC059N04LSGATMA1中文资料参数规格
技术参数

额定功率 50 W

针脚数 8

漏源极电阻 0.0049 Ω

极性 N-Channel

耗散功率 50 W

阈值电压 1.2 V

漏源极电压Vds 40 V

连续漏极电流Ids 16A

上升时间 3.4 ns

输入电容Ciss 3200pF @20VVds

下降时间 3.8 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 2.5W Ta, 50W Tc

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 8

封装 PG-TDSON-8

外形尺寸

封装 PG-TDSON-8

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

制造应用 Power Management, 工业, Industrial, 电机驱动与控制, Or-ing switches, Synchronous rectification, Isolated DC-DC converters, 电源管理, Motor Drive & Control

符合标准

RoHS标准

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC

REACH SVHC版本 2015/12/17

数据手册

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型号: BSC059N04LSGATMA1
描述:INFINEON  BSC059N04LSGATMA1  晶体管, MOSFET, N沟道, 73 A, 40 V, 4.9 mohm, 10 V, 1.2 V

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