BD679AS

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BD679AS中文资料参数规格
技术参数

额定电压DC 80.0 V

额定电流 4.00 A

极性 NPN

耗散功率 40 W

击穿电压集电极-发射极 80 V

集电极最大允许电流 4A

最小电流放大倍数hFE 750 @2A, 3V

额定功率Max 40 W

直流电流增益hFE 750

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -65 ℃

耗散功率Max 40000 mW

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 3

封装 TO-126-3

外形尺寸

长度 8 mm

宽度 3.25 mm

高度 11.2 mm

封装 TO-126-3

物理参数

工作温度 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Bulk

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC

REACH SVHC版本 2015/06/15

海关信息

ECCN代码 EAR99

数据手册

在线购买BD679AS
型号: BD679AS
制造商: Fairchild 飞兆/仙童
描述:达林顿晶体管 NPN Epitaxial Sil
替代型号BD679AS
型号/品牌 代替类型 替代型号对比

BD679AS

Fairchild 飞兆/仙童

当前型号

当前型号

MJE802G

安森美

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