BDP949H6327XTSA1

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BDP949H6327XTSA1概述

双极晶体管 - 双极结型晶体管BJT AF TRANSISTORS

Look no further than Technologies" general purpose bipolar junction transistor, which can easily operate in high voltage ranges.


得捷:
TRANS NPN 60V 3A SOT223-4


贸泽:
双极晶体管 - 双极结型晶体管BJT AF TRANSISTORS


艾睿:
Look no further than Infineon Technologies&s; BDP949H6327XTSA1 general purpose bipolar junction transistor, which can easily operate in high voltage ranges.


安富利:
Trans GP BJT NPN 60V 3A 4-Pin SOT-223 T/R


Verical:
Trans GP BJT NPN 60V 3A Automotive 4-Pin3+Tab SOT-223 T/R


BDP949H6327XTSA1中文资料参数规格
技术参数

频率 100 MHz

极性 NPN

耗散功率 5 W

击穿电压集电极-发射极 60 V

集电极最大允许电流 3A

最小电流放大倍数hFE 100 @500mA, 1V

额定功率Max 5 W

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -65 ℃

耗散功率Max 5000 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 4

封装 SOT-223-4

外形尺寸

封装 SOT-223-4

物理参数

材质 Silicon

工作温度 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Not Recommended for New Designs

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

海关信息

ECCN代码 EAR99

数据手册

在线购买BDP949H6327XTSA1
型号: BDP949H6327XTSA1
描述:双极晶体管 - 双极结型晶体管BJT AF TRANSISTORS

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