STMICROELECTRONICS BD434 单晶体管 双极, PNP, 22 V, 36 W, 4 A, 140 hFE
- 双极 BJT - 单 PNP 22 V 4 A 3MHz 36 W 通孔 SOT-32-3
得捷:
TRANS PNP 22V 4A SOT32-3
e络盟:
# STMICROELECTRONICS BD434 单晶体管 双极, PNP, 22 V, 36 W, 4 A, 140 hFE
艾睿:
Trans GP BJT PNP 22V 4A 36000mW 3-Pin3+Tab SOT-32 Tube
针脚数 3
极性 PNP
耗散功率 36 W
击穿电压集电极-发射极 22 V
最小电流放大倍数hFE 40 @10mA, 5V
额定功率Max 36 W
直流电流增益hFE 140
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -65 ℃
耗散功率Max 36000 mW
安装方式 Through Hole
引脚数 3
封装 TO-126-3
封装 TO-126-3
材质 Silicon
工作温度 150℃ TJ
产品生命周期 Not Recommended for New Designs
包装方式 Tube
RoHS标准
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
REACH SVHC版本 2015/12/17
| 型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
|---|---|---|
BD434 ST Microelectronics 意法半导体 | 当前型号 | 当前型号 |
BD438 意法半导体 | 类似代替 | BD434和BD438的区别 |
BD434S 飞兆/仙童 | 功能相似 | BD434和BD434S的区别 |