BSS159NH6906XTSA1

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BSS159NH6906XTSA1概述

INFINEON  BSS159NH6906XTSA1  晶体管, MOSFET, N沟道, 230 mA, 60 V, 1.7 ohm, 10 V, -2.8 V

SIPMOS® N 通道 MOSFET


得捷:
MOSFET N-CH 60V 230MA SOT23-3


欧时:
Infineon SIPMOS 系列 Si N沟道 MOSFET BSS159NH6906XTSA1, 130 mA, Vds=60 V, 3引脚 SOT-23封装


e络盟:
功率场效应管, MOSFET, N沟道, 60 V, 230 mA, 1.7 ohm, SOT-23, 表面安装


艾睿:
If you need to either amplify or switch between signals in your design, then Infineon Technologies&s; BSS159NH6906XTSA1 power MOSFET is for you. Its maximum power dissipation is 360 mW. This product will be shipped in tape and reel packaging for quick mounting and safe delivery. This device utilizes sipmos technology. This N channel MOSFET transistor operates in depletion mode. This MOSFET transistor has an operating temperature range of -55 °C to 150 °C.


安富利:
Trans MOSFET N-CH 60V 0.23A 3-Pin SOT-23 T/R


Chip1Stop:
Trans MOSFET N-CH 60V 0.23A Automotive 3-Pin SOT-23 T/R


Verical:
Trans MOSFET N-CH 60V 0.23A Automotive 3-Pin SOT-23 T/R


Newark:
# INFINEON  BSS159NH6906XTSA1  MOSFET Transistor, N Channel, 230 mA, 60 V, 1.7 ohm, 10 V, -2.8 V


Win Source:
MOSFET N-CH 60V 230MA SOT23


BSS159NH6906XTSA1中文资料参数规格
技术参数

针脚数 3

漏源极电阻 1.7 Ω

极性 N-Channel

耗散功率 360 mW

阈值电压 2.8 V

漏源极电压Vds 60 V

连续漏极电流Ids 0.23A

上升时间 2.9 ns

输入电容Ciss 33pF @25VVds

下降时间 9 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 360 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 SOT-23-3

外形尺寸

长度 2.9 mm

宽度 1.3 mm

高度 1 mm

封装 SOT-23-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

制造应用 车用, Communications & Networking, 电源管理, Power Management, 通信与网络, Automotive, 消费电子产品, Consumer Electronics

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC

REACH SVHC版本 2015/12/17

数据手册

BSS159NH6906XTSA1引脚图与封装图
BSS159NH6906XTSA1引脚图
BSS159NH6906XTSA1封装图
BSS159NH6906XTSA1封装焊盘图
在线购买BSS159NH6906XTSA1
型号: BSS159NH6906XTSA1
描述:INFINEON  BSS159NH6906XTSA1  晶体管, MOSFET, N沟道, 230 mA, 60 V, 1.7 ohm, 10 V, -2.8 V
替代型号BSS159NH6906XTSA1
型号/品牌 代替类型 替代型号对比

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Infineon 英飞凌

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