BD679G

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BD679G概述

塑料中功率NPN硅达林顿 Plastic Medium−Power Silicon NPN Darlingtons

- 双极 BJT - 单 NPN - 达林顿 80 V 4 A - 40 W 通孔 TO-126


立创商城:
BD679G


得捷:
TRANS NPN DARL 80V 4A TO126


贸泽:
达林顿晶体管 4A 80V Bipolar Power NPN


艾睿:
Trans Darlington NPN 80V 4A 40000mW 3-Pin3+Tab TO-225 Box


安富利:
Trans Darlington NPN 80V 4A 3-Pin3+Tab TO-225 Bulk


Chip1Stop:
Trans Darlington NPN 80V 4A 3-Pin3+Tab TO-225 Bulk


TME:
Transistor: NPN; bipolar; Darlington; 80V; 4A; 40W; TO225


Verical:
Trans Darlington NPN 80V 4A 40000mW 3-Pin3+Tab TO-225 Box


Newark:
# ON SEMICONDUCTOR  BD679G  Bipolar BJT Single Transistor, NPN, 80 V, 200 MHz, 40 W, 4 A, 750 hFE


Win Source:
TRANS NPN DARL 80V 4A TO225


BD679G中文资料参数规格
技术参数

额定电压DC 80.0 V

额定电流 4.00 A

无卤素状态 Halogen Free

针脚数 3

极性 NPN

耗散功率 40 W

击穿电压集电极-发射极 80 V

集电极最大允许电流 4A

最小电流放大倍数hFE 750 @1.5A, 3V

最大电流放大倍数hFE 750 @1.5A, 3V

额定功率Max 40 W

直流电流增益hFE 750

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 40000 mW

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 3

封装 TO-126-3

外形尺寸

长度 7.74 mm

宽度 2.66 mm

高度 11.04 mm

封装 TO-126-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Bulk

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC版本 2015/12/17

海关信息

ECCN代码 EAR99

数据手册

在线购买BD679G
型号: BD679G
描述:塑料中功率NPN硅达林顿 Plastic Medium−Power Silicon NPN Darlingtons
替代型号BD679G
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