NPN 晶体管,Fairchild Semiconductor### 双极晶体管,Fairchild Semiconductor双极性结点晶体管 BJT 板系列提供完整的解决方案,用于满足各种电路应用需求。 创新的封装设计用于提供最小尺寸、最高可靠性和最大热性能。
The is a NPN Epitaxial Silicon Transistor designed for high speed switching applications which utilizes the industry standard TO-220 package offering flexibility in design and excellent power Dissipation.
频率 10 MHz
额定电压DC 150 V
额定电流 7.00 A
针脚数 3
极性 NPN
耗散功率 60 W
击穿电压集电极-发射极 200 V
集电极最大允许电流 7A
额定功率Max 60 W
工作温度Max 150 ℃
耗散功率Max 60 W
安装方式 Through Hole
引脚数 3
封装 TO-220-3
长度 9.9 mm
宽度 4.5 mm
高度 9.2 mm
封装 TO-220-3
工作温度 150℃ TJ
产品生命周期 Active
包装方式 Tube
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
REACH SVHC版本 2015/06/15
ECCN代码 EAR99
型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
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BU406TU Fairchild 飞兆/仙童 | 当前型号 | 当前型号 |
BU406 飞兆/仙童 | 类似代替 | BU406TU和BU406的区别 |
BU406G 安森美 | 功能相似 | BU406TU和BU406G的区别 |