BU406TU

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BU406TU概述

NPN 晶体管,Fairchild Semiconductor### 双极晶体管,Fairchild Semiconductor双极性结点晶体管 BJT 板系列提供完整的解决方案,用于满足各种电路应用需求。 创新的封装设计用于提供最小尺寸、最高可靠性和最大热性能。

The is a NPN Epitaxial Silicon Transistor designed for high speed switching applications which utilizes the industry standard TO-220 package offering flexibility in design and excellent power Dissipation.

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High-voltage capability
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High switching speed
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Low saturation voltage
BU406TU中文资料参数规格
技术参数

频率 10 MHz

额定电压DC 150 V

额定电流 7.00 A

针脚数 3

极性 NPN

耗散功率 60 W

击穿电压集电极-发射极 200 V

集电极最大允许电流 7A

额定功率Max 60 W

工作温度Max 150 ℃

耗散功率Max 60 W

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 3

封装 TO-220-3

外形尺寸

长度 9.9 mm

宽度 4.5 mm

高度 9.2 mm

封装 TO-220-3

物理参数

工作温度 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC

REACH SVHC版本 2015/06/15

海关信息

ECCN代码 EAR99

数据手册

在线购买BU406TU
型号: BU406TU
制造商: Fairchild 飞兆/仙童
描述:NPN 晶体管,Fairchild Semiconductor ### 双极晶体管,Fairchild Semiconductor 双极性结点晶体管 BJT 板系列提供完整的解决方案,用于满足各种电路应用需求。 创新的封装设计用于提供最小尺寸、最高可靠性和最大热性能。
替代型号BU406TU
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