BD242BG

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BD242BG概述

互补硅塑料功率晶体管80A ???? 100伏 Complementary Silicon Plastic Power Transistors 80−100 VOLTS

Do you require a transistor in your circuit operating in the high-voltage range? This PNP general purpose bipolar junction transistor, developed by , is your solution. This bipolar junction transistor"s maximum emitter base voltage is 5 V. Its maximum power dissipation is 40 mW. This product comes in rail packaging to keep individual parts separated and protected. It has a maximum collector emitter voltage of 80 V and a maximum emitter base voltage of 5 V. This bipolar junction transistor has a minimum operating temperature of -65 °C and a maximum of 150 °C.

BD242BG中文资料参数规格
技术参数

频率 3 MHz

额定电压DC -80.0 V

额定电流 -3.00 A

极性 PNP

耗散功率 40 W

击穿电压集电极-发射极 80 V

集电极最大允许电流 3A

最小电流放大倍数hFE 25 @1A, 4V

额定功率Max 40 W

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -65 ℃

耗散功率Max 40000 mW

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 3

封装 TO-220-3

外形尺寸

长度 10.28 mm

宽度 4.82 mm

高度 9.28 mm

封装 TO-220-3

物理参数

材质 Silicon

工作温度 -65℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

海关信息

ECCN代码 EAR99

数据手册

在线购买BD242BG
型号: BD242BG
描述:互补硅塑料功率晶体管80A ???? 100伏 Complementary Silicon Plastic Power Transistors 80−100 VOLTS
替代型号BD242BG
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