BD238

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BD238概述

STMICROELECTRONICS  BD238  单晶体管 双极, PNP, 80 V, 25 W, 2 A, 40 hFE

Bipolar BJT Transistor PNP 80V 2A 25W Through Hole SOT-32-3


得捷:
TRANS PNP 80V 2A SOT32-3


贸泽:
Bipolar Transistors - BJT PNP General Purpose


e络盟:
STMICROELECTRONICS  BD238  单晶体管 双极, PNP, 80 V, 25 W, 2 A, 40 hFE


艾睿:
The three terminals of this PNP BD238 GP BJT from STMicroelectronics give it the ability to be used as either an electronic switch or amplifier. This bipolar junction transistor&s;s maximum emitter base voltage is 5 V. Its maximum power dissipation is 25000 mW. This bipolar junction transistor has a minimum operating temperature of -65 °C and a maximum of 150 °C. It has a maximum collector emitter voltage of 80 V and a maximum emitter base voltage of 5 V.


安富利:
Trans GP BJT PNP 80V 2A 3-Pin3+Tab SOT-32


TME:
Transistor: bipolar, PNP; 100V; 2A; 25W; TO126


Verical:
Trans GP BJT PNP 80V 2A 25000mW 3-Pin3+Tab SOT-32 Tube


DeviceMart:
TRANSISTOR POWER PNP SOT-32


BD238中文资料参数规格
技术参数

频率 3 MHz

额定电压DC -100 V

额定电流 -2.00 A

额定功率 25 W

针脚数 3

极性 PNP, P-Channel

耗散功率 25 W

增益频宽积 3 MHz

击穿电压集电极-发射极 80 V

最小电流放大倍数hFE 25 @1A, 2V

额定功率Max 25 W

直流电流增益hFE 40

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min 65 ℃

耗散功率Max 25000 mW

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 3

封装 TO-126-3

外形尺寸

长度 7.8 mm

宽度 2.7 mm

高度 10.8 mm

封装 TO-126-3

物理参数

材质 Silicon

工作温度 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Not Recommended for New Designs

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC

REACH SVHC版本 2015/12/17

数据手册

BD238引脚图与封装图
BD238引脚图
BD238封装图
BD238封装焊盘图
在线购买BD238
型号: BD238
描述:STMICROELECTRONICS  BD238  单晶体管 双极, PNP, 80 V, 25 W, 2 A, 40 hFE
替代型号BD238
型号/品牌 代替类型 替代型号对比

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