STMICROELECTRONICS BD241C 单晶体管 双极, NPN, 100 V, 40 W, 5 A, 25 hFE
The is a 100V Silicon NPN Complementary Power Transistor manufactured in planar technology with base island layout. The transistor shows exceptional high gain performance coupled with very low saturation voltage. Fast switching times and very low saturation voltage resulting in reduced switching and conduction losses.
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- Well-controlled hFE parameter for increased reliability
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- Collector-base voltage Vcbo = 100V
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- Emitter-base voltage Vcbo = 5V
频率 3 MHz
针脚数 3
极性 NPN
耗散功率 40 W
击穿电压集电极-发射极 100 V
最小电流放大倍数hFE 10 @3A, 4V
最大电流放大倍数hFE 25
额定功率Max 40 W
直流电流增益hFE 25
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -65 ℃
耗散功率Max 40000 mW
安装方式 Through Hole
引脚数 3
封装 TO-220-3
宽度 4.6 mm
封装 TO-220-3
材质 Silicon
工作温度 150℃ TJ
产品生命周期 Active
包装方式 Tube
制造应用 Industrial, 工业, Audio, 音频
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 无铅
REACH SVHC标准 No SVHC
REACH SVHC版本 2015/12/17
| 型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
|---|---|---|
BD241C ST Microelectronics 意法半导体 | 当前型号 | 当前型号 |
TIP31C 意法半导体 | 类似代替 | BD241C和TIP31C的区别 |
TIP31C-S 伯恩斯 | 类似代替 | BD241C和TIP31C-S的区别 |
TIP31CG 安森美 | 功能相似 | BD241C和TIP31CG的区别 |