INFINEON BSZ097N04LSGATMA1 晶体管, MOSFET, N沟道, 40 A, 40 V, 8.1 mohm, 10 V, 1.2 V
I OptiMOS™3 功率 MOSFET,高达 40V
OptiMOS™产品提供高效能封装,以解决最具挑战性的应用,在有限空间内提供完全的灵活性。 这些 Infineon 产品经的设计符合并超过计算机应用中更严格的下一代电压调节标准的能效和功率密度要求。
快速切换 MOSFET,用于 SMPS
优化技术,用于直流/直流转换器
符合目标应用的 JEDEC1 规格
N 通道,逻辑电平
极佳的栅极电荷 x R DSon 产品 FOM
极低导通电阻 R DSon
无铅电镀
欧时:
Infineon OptiMOS 3 系列 Si N沟道 MOSFET BSZ097N04LSGATMA1, 40 A, Vds=40 V, 8引脚 TSDSON封装
得捷:
MOSFET N-CH 40V 12A/40A 8TSDSON
艾睿:
Make an effective common source amplifier using this BSZ097N04LSGATMA1 power MOSFET from Infineon Technologies. Its maximum power dissipation is 2100 mW. This product will be shipped in tape and reel packaging so that components can be mounted effectively. This N channel MOSFET transistor operates in enhancement mode. This device utilizes optimos technology. This MOSFET transistor has an operating temperature range of -55 °C to 150 °C.
安富利:
Trans MOSFET N-CH 40V 12A 8-Pin TSDSON T/R
Chip1Stop:
Trans MOSFET N-CH 40V 12A 8-Pin TSDSON EP T/R
TME:
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 40A; 35W; PG-TSDSON-8
Verical:
Trans MOSFET N-CH 40V 12A 8-Pin TSDSON EP T/R
Newark:
# INFINEON BSZ097N04LSGATMA1 MOSFET Transistor, N Channel, 40 A, 40 V, 8.1 mohm, 10 V, 1.2 V
额定功率 35 W
通道数 1
针脚数 8
漏源极电阻 0.0081 Ω
极性 N-Channel
耗散功率 35 W
阈值电压 1.2 V
输入电容 1400 pF
漏源极电压Vds 40 V
连续漏极电流Ids 12A
上升时间 2.4 ns
输入电容Ciss 1400pF @20VVds
下降时间 2.8 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 35 W
安装方式 Surface Mount
引脚数 8
封装 PG-TSDSON
长度 3.4 mm
宽度 3.3 mm
高度 1.1 mm
封装 PG-TSDSON
工作温度 -55℃ ~ 150℃
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
制造应用 Power Management, Communications & Networking, Industrial, 通信与网络, Synchronous rectification, Portable Devices, Computers & Computer Peripherals, 电源管理, Motor Drive & Control, 工业, 便携式器材, 电机驱动与控制, Or-ing switches, Isolated DC-DC converters, Consumer Electronics, 计算机和计算机周边, 消费电子产品
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
REACH SVHC版本 2015/12/17