BSC076N06NS3 系列 60V 7.6 mOhm N沟道 OptiMOS™3 功率-晶体管-PG - TDSON-8
OptiMOS™3 功率 MOSFET，60 至 80V
OptiMOS™ 产品提供高性能封装，可处理最具挑战性的应用，在有限空间提供全部灵活性。 这些 Infineon 产品经的设计符合并超过计算机应用中更严格的下一代电压调节标准的能效和功率密度要求。
快速切换 MOSFET，用于 SMPS
优化技术，用于直流/直流转换器
符合目标应用的 JEDEC1 规格
N 通道，逻辑电平
极佳的栅极电荷 x R DSon 产品 FOM
极低导通电阻 R DSon
无铅电镀
得捷:
MOSFET N-CH 60V 50A TDSON-8
欧时:
Infineon OptiMOS 3 系列 Si N沟道 MOSFET BSC076N06NS3GATMA1, 50 A, Vds=60 V, 8引脚 TDSON封装
贸泽:
MOSFET N-Ch 60V 50A TDSON-8 OptiMOS 3
艾睿:
Amplify electronic signals and switch between them with the help of Infineon Technologies&s; BSC076N06NS3GATMA1 power MOSFET. Its maximum power dissipation is 2500 mW. This component will be shipped in tape and reel packaging to allow for effective mounting and safe delivery. This N channel MOSFET transistor operates in enhancement mode. This device utilizes optimos technology. This MOSFET transistor has an operating temperature range of -55 °C to 150 °C.
Chip1Stop:
Trans MOSFET N-CH 60V 50A 8-Pin TDSON EP T/R
TME:
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 50A; 69W; PG-TDSON-8
Verical:
Trans MOSFET N-CH 60V 50A 8-Pin TDSON EP T/R
Win Source:
MOSFET N-CH 60V 50A TDSON-8
额定功率 69 W
针脚数 8
漏源极电阻 0.0062 Ω
极性 N-Channel
耗散功率 69 W
阈值电压 3 V
输入电容 3000 pF
漏源极电压Vds 60 V
连续漏极电流Ids 50A
上升时间 40 ns
输入电容Ciss 3000pF @30VVds
下降时间 5 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 2.5W Ta, 69W Tc
安装方式 Surface Mount
引脚数 8
封装 PG-TDSON-8
长度 5.9 mm
宽度 5.15 mm
高度 1.27 mm
封装 PG-TDSON-8
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
制造应用 Power Management, Communications & Networking, Industrial, 通信与网络, Synchronous rectification, Portable Devices, Computers & Computer Peripherals, 电源管理, Motor Drive & Control, 工业, 便携式器材, 电机驱动与控制, Or-ing switches, Isolated DC-DC converters, Consumer Electronics, 计算机和计算机周边, 消费电子产品
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
REACH SVHC版本 2015/12/17