INFINEON BSC042N03LSGATMA1 晶体管, MOSFET, N沟道, 93 A, 30 V, 3.5 mohm, 10 V, 1 V
I OptiMOS™3 功率 MOSFET,高达 40V
OptiMOS™产品提供高效能封装,以解决最具挑战性的应用,在有限空间内提供完全的灵活性。 这些 Infineon 产品经的设计符合并超过计算机应用中更严格的下一代电压调节标准的能效和功率密度要求。
快速切换 MOSFET,用于 SMPS
优化技术,用于直流/直流转换器
符合目标应用的 JEDEC1 规格
N 通道,逻辑电平
极佳的栅极电荷 x R DSon 产品 FOM
极低导通电阻 R DSon
无铅电镀
得捷:
MOSFET N-CH 30V 20A/93A TDSON
立创商城:
N沟道 30V 20A 93A
欧时:
Infineon OptiMOS 3 系列 Si N沟道 MOSFET BSC042N03LSGATMA1, 93 A, Vds=30 V, 8引脚 TDSON封装
艾睿:
Make an effective common gate amplifier using this BSC042N03LSGATMA1 power MOSFET from Infineon Technologies. Its maximum power dissipation is 2500 mW. Tape and reel packaging will encase this product during shipment, in order to ensure safe delivery and enable quick mounting of components. This MOSFET transistor has a minimum operating temperature of -55 °C and a maximum of 150 °C. This device is made with optimos technology. This N channel MOSFET transistor operates in enhancement mode.
安富利:
Trans MOSFET N-CH 30V 93A 8-Pin TDSON T/R
TME:
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 75A; 57W; PG-TDSON-8
Verical:
Trans MOSFET N-CH 30V 93A 8-Pin TDSON EP T/R
Newark:
# INFINEON BSC042N03LSGATMA1 MOSFET Transistor, N Channel, 93 A, 30 V, 3.5 mohm, 10 V, 1 V
Win Source:
MOSFET N-CH 30V 93A TDSON-8
额定功率 57 W
针脚数 8
漏源极电阻 0.0035 Ω
极性 N-Channel
耗散功率 57 W
阈值电压 1 V
漏源极电压Vds 30 V
连续漏极电流Ids 93A
上升时间 4.4 ns
输入电容Ciss 2600pF @15VVds
下降时间 4 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 2.5W Ta, 57W Tc
安装方式 Surface Mount
引脚数 8
封装 PG-TDSON-8
长度 5.35 mm
宽度 6.1 mm
高度 1.1 mm
封装 PG-TDSON-8
工作温度 -55℃ ~ 150℃
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
制造应用 工业, Onboard charger, Mainboard, Power Management, Industrial, VRD/VRM, 电源管理
RoHS标准
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
REACH SVHC版本 2015/12/17
型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
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BSC042N03LSGATMA1 Infineon 英飞凌 | 当前型号 | 当前型号 |
FDMS7670 飞兆/仙童 | 功能相似 | BSC042N03LSGATMA1和FDMS7670的区别 |
CSD16404Q5A 德州仪器 | 功能相似 | BSC042N03LSGATMA1和CSD16404Q5A的区别 |