BD237

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BD237概述

STMICROELECTRONICS  BD237  单晶体管 双极, NPN, 80 V, 3 MHz, 25 W, 2 A, 40 hFE

NPN 功率,STMicroelectronics


欧时:
STMicroelectronics BD237 , NPN 晶体管, 2 A, Vce=80 V, HFE:25, 3 MHz, 3引脚 SOT-32封装


得捷:
TRANS NPN 80V 2A SOT32-3


立创商城:
NPN 80V 2A


贸泽:
双极晶体管 - 双极结型晶体管BJT NPN General Purpose


艾睿:
Trans GP BJT NPN 80V 2A 25000mW 3-Pin3+Tab SOT-32 Tube


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Trans GP BJT NPN 80V 2A 3-Pin3+Tab SOT-32 Tube


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BD237 Series 80 V 2 A 25 W NPN Low Voltage Power Transistor - SOT-32


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Trans GP BJT NPN 80V 2A 3-Pin3+Tab SOT-32 Tube


TME:
Transistor: NPN; bipolar; 100V; 2A; 25W; SOT32


Verical:
Trans GP BJT NPN 80V 2A 25000mW 3-Pin3+Tab SOT-32 Tube


Newark:
# STMICROELECTRONICS  BD237  Bipolar BJT Single Transistor, NPN, 80 V, 3 MHz, 25 W, 2 A, 40


儒卓力:
**NPN TRANSISTOR 80V 2A 25W TO126 **


Win Source:
TRANS NPN 80V 2A SOT-32


DeviceMart:
TRANSISTOR POWER NPN SOT-32


BD237中文资料参数规格
技术参数

频率 3 MHz

额定电压DC 100 V

额定电流 2.00 A

额定功率 25 W

针脚数 3

极性 NPN

耗散功率 25 W

增益频宽积 3 MHz

击穿电压集电极-发射极 80 V

最小电流放大倍数hFE 25 @1A, 2V

额定功率Max 25 W

直流电流增益hFE 40

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -65 ℃

耗散功率Max 25000 mW

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 3

封装 TO-126-3

外形尺寸

长度 7.8 mm

宽度 2.7 mm

高度 10.8 mm

封装 TO-126-3

物理参数

材质 Silicon

工作温度 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tube

制造应用 Power Management, 工业, 音频, Industrial, Audio, 电源管理

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC

REACH SVHC版本 2015/12/17

海关信息

ECCN代码 EAR99

数据手册

BD237引脚图与封装图
BD237引脚图
BD237封装图
BD237封装焊盘图
在线购买BD237
型号: BD237
描述:STMICROELECTRONICS  BD237  单晶体管 双极, NPN, 80 V, 3 MHz, 25 W, 2 A, 40 hFE
替代型号BD237
型号/品牌 代替类型 替代型号对比

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