BSC150N03LDGATMA1

BSC150N03LDGATMA1图片1
BSC150N03LDGATMA1图片2
BSC150N03LDGATMA1图片3
BSC150N03LDGATMA1图片4
BSC150N03LDGATMA1图片5
BSC150N03LDGATMA1图片6
BSC150N03LDGATMA1图片7
BSC150N03LDGATMA1概述

INFINEON  BSC150N03LDGATMA1  晶体管, MOSFET, N沟道, 20 A, 30 V, 12.5 mohm, 10 V, 1 V

I OptiMOS™3 功率 MOSFET,高达 40V

OptiMOS™产品提供高效能封装,以解决最具挑战性的应用,在有限空间内提供完全的灵活性。 这些 Infineon 产品经的设计符合并超过计算机应用中更严格的下一代电压调节标准的能效和功率密度要求。

快速切换 MOSFET,用于 SMPS

优化技术,用于直流/直流转换器

符合目标应用的 JEDEC1 规格

N 通道,逻辑电平

极佳的栅极电荷 x R DSon 产品 FOM

极低导通电阻 R DSon

无铅电镀


得捷:
MOSFET 2N-CH 30V 8A 8TDSON


立创商城:
2个N沟道 30V 8A


欧时:
Infineon OptiMOS 3 系列 双 Si N沟道 MOSFET BSC150N03LDGATMA1, 20 A, Vds=30 V, 8引脚 TDSON封装


贸泽:
MOSFET N-Ch 30V 20A TDSON-8 OptiMOS 3


e络盟:
晶体管, MOSFET, N沟道, 20 A, 30 V, 0.0125 ohm, 10 V, 1 V


艾睿:
Trans MOSFET N-CH 30V 8A 8-Pin TDSON EP T/R


安富利:
Trans MOSFET N-CH 30V 8A 8-Pin TDSON T/R


TME:
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 20A; 26W; PG-TDSON-8


Verical:
Trans MOSFET N-CH 30V 8A 8-Pin TDSON EP T/R


Newark:
MOSFET Transistor, N Channel, 20 A, 30 V, 12.5 mohm, 10 V, 1 V


Win Source:
MOSFET 2N-CH 30V 8A 8TDSON / Mosfet Array 2 N-Channel Dual 30V 8A 26W Surface Mount PG-TDSON-8-4


BSC150N03LDGATMA1中文资料参数规格
技术参数

额定功率 26 W

针脚数 8

漏源极电阻 0.0125 Ω

极性 N-Channel

耗散功率 26 W

阈值电压 1 V

输入电容 850 pF

漏源极电压Vds 30 V

连续漏极电流Ids 8A

上升时间 2.2 ns

输入电容Ciss 850pF @15VVds

额定功率Max 26 W

下降时间 2 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 26 W

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 8

封装 PG-TDSON-8-4

外形尺寸

长度 5.35 mm

宽度 5.9 mm

高度 1 mm

封装 PG-TDSON-8-4

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

制造应用 Power Management, Power Management, Motor Drive & Control, LED Lighting, Computers & Computer Peripherals, , 电源管理, Consumer Electronics

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC

数据手册

在线购买BSC150N03LDGATMA1
型号: BSC150N03LDGATMA1
描述:INFINEON  BSC150N03LDGATMA1  晶体管, MOSFET, N沟道, 20 A, 30 V, 12.5 mohm, 10 V, 1 V

锐单商城 - 一站式电子元器件采购平台