BD534KTU

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BD534KTU中文资料参数规格
技术参数

极性 PNP

耗散功率 50 W

击穿电压集电极-发射极 45 V

集电极最大允许电流 8A

最小电流放大倍数hFE 40 @2A, 2V

额定功率Max 50 W

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -65 ℃

封装参数

安装方式 Through Hole

封装 TO-220-3

外形尺寸

长度 9.9 mm

宽度 4.5 mm

高度 9.2 mm

封装 TO-220-3

物理参数

工作温度 150℃ TJ

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 无铅

海关信息

ECCN代码 EAR99

数据手册

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型号: BD534KTU
制造商: Fairchild 飞兆/仙童
描述:双极晶体管 - 双极结型晶体管BJT PNP Si Transistor Epitaxial

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