BSF030NE2LQXUMA1

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BSF030NE2LQXUMA1概述

INFINEON  BSF030NE2LQXUMA1  晶体管, MOSFET, N沟道, 75 A, 25 V, 0.0025 ohm, 10 V, 2 V

OptiMOS™ 功率 MOSFET 系列

OptiMOS™ 产品提供高性能封装,可处理最具挑战性的应用,在有限空间提供全部灵活性。 这些 Infineon 产品经的设计符合并超过计算机应用中更严格的下一代电压调节标准的能效和功率密度要求。

N 通道 - 增强模式

符合汽车 AEC Q101 规格

MSL1 高达 260°C 峰值回流焊接

175°C 工作温度

绿色封装(无铅)

超低 Rdson


欧时:
Infineon OptiMOS 系列 Si N沟道 MOSFET BSF030NE2LQXUMA1, 75 A, Vds=25 V, 2引脚 WDSON封装


得捷:
MOSFET N-CH 25V 24A/75A 2WDSON


立创商城:
N沟道 25V 75A 24A


贸泽:
MOSFET N-Ch 25V 75A CanPAK-2 SQ OptiMOS


e络盟:
晶体管, MOSFET, N沟道, 75 A, 25 V, 0.0025 ohm, 10 V, 2 V


艾睿:
Trans MOSFET N-CH 25V 24A 6-Pin WDSON T/R


安富利:
Trans MOSFET N-CH 25V 24A 6-Pin WDSON T/R


TME:
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 25V; 75A; 28W


Verical:
Trans MOSFET N-CH 25V 24A 6-Pin WDSON T/R


Newark:
# INFINEON  BSF030NE2LQXUMA1  MOSFET Transistor, N Channel, 75 A, 25 V, 0.0025 ohm, 10 V, 2 V


BSF030NE2LQXUMA1中文资料参数规格
技术参数

额定功率 28 W

针脚数 2

漏源极电阻 0.0025 Ω

极性 N-Channel

耗散功率 28 W

阈值电压 2 V

输入电容 1700 pF

漏源极电压Vds 25 V

连续漏极电流Ids 24A

上升时间 3.4 ns

输入电容Ciss 1700pF @12VVds

下降时间 2.6 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -40 ℃

耗散功率Max 28 W

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 2

封装 WDSON-2-3

外形尺寸

长度 3.95 mm

宽度 3.95 mm

高度 0.7 mm

封装 WDSON-2-3

物理参数

工作温度 -40℃ ~ 150℃

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

制造应用 Onboard charger, VRD/VRM, Mainboard

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC

REACH SVHC版本 2015/12/17

数据手册

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型号: BSF030NE2LQXUMA1
描述:INFINEON  BSF030NE2LQXUMA1  晶体管, MOSFET, N沟道, 75 A, 25 V, 0.0025 ohm, 10 V, 2 V
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