BSZ0902NSIATMA1

INFINEON  BSZ0902NSIATMA1  晶体管, MOSFET, N沟道, 40 A, 30 V, 0.0023 ohm, 10 V, 2 V

OptiMOS™ 功率 MOSFET 系列

OptiMOS™ 产品提供高性能封装，可处理最具挑战性的应用，在有限空间提供全部灵活性。 这些 Infineon 产品经的设计符合并超过计算机应用中更严格的下一代电压调节标准的能效和功率密度要求。

N 通道 - 增强模式

符合汽车 AEC Q101 规格

MSL1 高达 260°C 峰值回流焊接

175°C 工作温度

绿色封装（无铅）

超低 Rdson

欧时:
Infineon MOSFET BSZ0902NSI

得捷:
MOSFET N-CH 30V 21A/40A TSDSON

立创商城:
N沟道 30V 40A 21A

贸泽:
MOSFET N-Ch 30V 40A TDSON-8 OptiMOS

e络盟:
晶体管, MOSFET, N沟道, 40 A, 30 V, 0.0023 ohm, 10 V, 2 V

艾睿:
Trans MOSFET N-CH 30V 21A 8-Pin TSDSON EP T/R

安富利:
Trans MOSFET N-CH 30V 21A 8-Pin TSDSON T/R

TME:
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 40A; 48W; PG-TSDSON-8

Verical:
Trans MOSFET N-CH 30V 21A 8-Pin TSDSON EP T/R

Newark:
# INFINEON  BSZ0902NSIATMA1  MOSFET Transistor, N Channel, 40 A, 30 V, 0.0023 ohm, 10 V, 2 V

Win Source:
MOSFET N-CH 30V 21A/40A TSDSON / N-Channel 30 V 21A Ta, 40A Tc 2.5W Ta, 48W Tc Surface Mount PG-TSDSON-8-FL