INFINEON BSC12DN20NS3GATMA1 晶体管, MOSFET, N沟道, 11.3 A, 200 V, 0.108 ohm, 10 V, 3 V
表面贴装型 N 通道 200 V 11.3A（Tc） 50W（Tc） PG-TDSON-8-5
得捷:
MOSFET N-CH 200V 11.3A 8TDSON
欧时:
MOSFET N-Ch 200V 11A 125m OptiMOS3 TDSON
立创商城:
N沟道 200V 11.3A
贸泽:
MOSFET MV POWER MOS
艾睿:
Trans MOSFET N-CH 200V 11.3A 8-Pin TDSON EP T/R
TME:
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 11.3A; 50W; PG-TDSON-8
Verical:
Trans MOSFET N-CH 200V 11.3A 8-Pin TDSON EP T/R
Newark:
# INFINEON BSC12DN20NS3GATMA1 MOSFET Transistor, N Channel, 11.3 A, 200 V, 0.108 ohm, 10 V, 3 V
额定功率 50 W
针脚数 8
漏源极电阻 0.108 Ω
极性 N-CH
耗散功率 50 W
阈值电压 3 V
输入电容 510 pF
漏源极电压Vds 200 V
漏源击穿电压 200 V
连续漏极电流Ids 11.3A
上升时间 4 ns
输入电容Ciss 510pF @100VVds
下降时间 3 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 50000 mW
引脚数 8
封装 TDSON-8
长度 5.35 mm
宽度 5.15 mm
高度 1.27 mm
封装 TDSON-8
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
制造应用 Synchronous rectification for AC-DC SMPS, Class D audio amplifiers, Isolated DC-DC converters
RoHS标准
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC版本 2015/12/17
