INFINEON BSO613SPVGHUMA1 晶体管, MOSFET, P沟道, -3.44 A, -60 V, 0.11 ohm, -10 V, -3 V 新
SIPMOS® P 通道 MOSFET
**Infineon** SIPMOS® 小信号 P 通道 MOSFET 具有多种功能,可能包括增强模式、连续漏极电流(约低至 80A)及宽工作温度范围。 SIPMOS 功率可用于多种应用,包括电信、eMobility、笔记本、直流/直流设备以及汽车工业。
· 符合 AEC Q101 标准(请参阅数据表)
· 无铅引线电镀,符合 RoHS 标准
得捷:
MOSFET P-CH 60V 3.44A 8DSO
欧时:
Infineon SIPMOS 系列 Si P沟道 MOSFET BSO613SPVGHUMA1, 3.4 A, Vds=60 V, 8引脚 SOIC封装
贸泽:
MOSFET P-Ch -60V -3.44A DSO-8
e络盟:
功率场效应管, MOSFET, P沟道, 60 V, 3.44 A, 0.11 ohm, PG-SO, 表面安装
艾睿:
Use Infineon Technologies&s; BSO613SPVGHUMA1 power MOSFET to switch quickly between different electronic signals with ease. Its maximum power dissipation is 2500 mW. In order to ensure safe delivery and enable quick mounting of this component after delivery, it will be encased in tape and reel packaging during shipment. This device utilizes sipmos technology. This P channel MOSFET transistor operates in enhancement mode. This MOSFET transistor has an operating temperature range of -55 °C to 150 °C.
安富利:
Trans MOSFET P-CH 60V 3.44A 8-Pin DSO T/R
富昌:
P-沟道 60 V 3.44 A 0.13 Ω 20 nC 表面贴装 SipMOS 功率 晶体管 - SOIC-8
TME:
Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -3.44A; 2.5W; PG-DSO-8
Verical:
Trans MOSFET P-CH 60V 3.44A Automotive 8-Pin DSO T/R
Newark:
# INFINEON BSO613SPVGHUMA1 MOSFET, P-CH, -60V, -3.44A, PG-SO-8 New
额定电压DC -60.0 V
额定电流 -3.44 A
额定功率 2.5 W
通道数 1
针脚数 8
漏源极电阻 0.11 Ω
极性 P-Channel
耗散功率 2.5 W
阈值电压 3 V
输入电容 875 pF
栅电荷 30.0 nC
漏源极电压Vds 60 V
漏源击穿电压 60 V
连续漏极电流Ids 3.44 A
上升时间 11 ns
输入电容Ciss 700pF @25VVds
下降时间 12 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 2500 mW
安装方式 Surface Mount
引脚数 8
封装 PG-DSO-8
长度 4.9 mm
宽度 3.9 mm
高度 1.75 mm
封装 PG-DSO-8
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
制造应用 Onboard charger
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC版本 2015/12/17
ECCN代码 EAR99
型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
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BSO613SPVGHUMA1 Infineon 英飞凌 | 当前型号 | 当前型号 |
SI9407BDY-T1-GE3 威世 | 功能相似 | BSO613SPVGHUMA1和SI9407BDY-T1-GE3的区别 |