Infineon SIPMOS® N 通道 MOSFET### MOSFET 晶体管,InfineonInfineon 庞大且全面的 MOSFET 设备组合包括 OptiMOS™ 与 CoolMOS™ 系列。 这些产品提供最新一代最先进功率 MOSFET 中的顶级性能
SIPMOS® N 通道 MOSFET
### MOSFET ,Infineon
Infineon 提供庞大且全面的 MOSFET 设备组合,其中包括 CoolMOS、OptiMOS 和 StrongIRFET 系列。它们提供同类最佳性能,实现更高效率、功率密度和成本效益。需要高质量和增强型保护功能的设计获益于符合 AEC-Q101 汽车工业标准的 MOSFET。
欧时:
### Infineon SIPMOS® N 通道 MOSFET### MOSFET 晶体管,InfineonInfineon 庞大且全面的 MOSFET 设备组合包括 OptiMOS™ 与 CoolMOS™ 系列。 这些产品提供最新一代最先进功率 MOSFET 中的顶级性能
得捷:
MOSFET N-CH 240V 350MA SOT223-4
贸泽:
MOSFET N-Ch 240V 350mA SOT-223-3
e络盟:
功率场效应管, MOSFET, N沟道, 240 V, 350 mA, 4.2 ohm, SOT-223, 表面安装
艾睿:
Trans MOSFET N-CH 240V 0.35A Automotive 4-Pin3+Tab SOT-223 T/R
安富利:
Trans MOSFET N-CH 240V 0.35A 4-Pin SOT-223 T/R
Chip1Stop:
Trans MOSFET N-CH 240V 0.35A Automotive 4-Pin3+Tab SOT-223 T/R
TME:
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 240V; 0.35A; 1.8W; SOT223
Verical:
Trans MOSFET N-CH 240V 0.35A Automotive 4-Pin3+Tab SOT-223 T/R
额定功率 1.8 W
通道数 1
针脚数 4
漏源极电阻 4.2 Ω
极性 N-CH
耗散功率 1.8 W
阈值电压 1.4 V
漏源极电压Vds 240 V
连续漏极电流Ids 0.35A
上升时间 4.1 ns
输入电容Ciss 82pF @25VVds
下降时间 35 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 1.8 W
安装方式 Surface Mount
引脚数 4
封装 SOT-223-4
长度 6.5 mm
宽度 3.5 mm
高度 1.6 mm
封装 SOT-223-4
工作温度 -55℃ ~ 150℃
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
制造应用 Automotive, Onboard charger
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 无铅