BFP620FH7764XTSA1

Infineon BFP620FH7764XTSA1 , NPN 晶体管, 80 mA, Vce=7.5 V, HFE:110, 4引脚 TSFP封装

SiGe 射频双极，

来自 Infineon 的一系列超低噪声宽带 NPN 双极射频晶体管。 这些异质结双极性设备采用 Infineon 的硅锗:碳 SiGe:C 材料技术，特别适用于低功耗为关键要求的移动应用。 借助典型的高达 65 GHz 传输频率，这些设备用于放大器时可提供高达 10GHz 频率的高功率增益。 晶体管包括用于 ESD 的内部电路和过度射频输入电源保护。

得捷:
RF TRANS NPN 2.8V 65GHZ 4TSFP

欧时:
Infineon BFP620FH7764XTSA1 , NPN 晶体管, 80 mA, Vce=7.5 V, HFE:110, 4引脚 TSFP封装

e络盟:
晶体管 双极-射频, NPN, 2.3 V, 65 GHz, 185 mW, 80 mA, 110 hFE

艾睿:
Trans RF BJT NPN 2.3V 0.08A 185mW Automotive 4-Pin TSFP T/R

安富利:
Trans GP BJT NPN 2.3V 0.08A 4-Pin TSFP T/R

Verical:
Trans RF BJT NPN 2.3V 0.08A 185mW Automotive 4-Pin TSFP T/R

Win Source:
TRANS RF NPN 2.8V 80MA 4TSFP