BFP640H6327XTSA1

INFINEON  BFP640H6327XTSA1  晶体管 双极-射频, NPN, 4.5 V, 40 GHz, 200 mW, 50 mA, 110 hFE

SiGe 射频双极，

来自 Infineon 的一系列超低噪声宽带 NPN 双极射频晶体管。 这些异质结双极性设备采用 Infineon 的硅锗:碳 SiGe:C 材料技术，特别适用于低功耗为关键要求的移动应用。 借助典型的高达 65 GHz 传输频率，这些设备用于放大器时可提供高达 10GHz 频率的高功率增益。 晶体管包括用于 ESD 的内部电路和过度射频输入电源保护。

欧时:
Infineon BFP640H6327XTSA1 , NPN 硅锗双极晶体管, 50 mA, Vce=4 V, HFE:110, 40 GHz, 4引脚 SOT-343封装

得捷:
RF TRANS NPN 4.5V 40GHZ SOT343-4

贸泽:
射频RF双极晶体管 RF BIP TRANSISTOR

e络盟:
晶体管 双极-射频, NPN, 4.5 V, 40 GHz, 200 mW, 50 mA, 110 hFE

艾睿:
Compared to other transistors, the BFP640H6327XTSA1 RF bi-polar junction transistor, developed by Infineon Technologies, can properly function in the event of high radio frequency power situations. This RF transistor has a minimum operating temperature of -65 °C and a maximum of 150 °C.

Chip1Stop:
Trans GP BJT NPN 4V 0.05A 4-Pin3+Tab SOT-343 T/R

Verical:
Trans RF BJT NPN 4V 0.05A 200mW Automotive 4-Pin3+Tab SOT-343 T/R

Newark:
# INFINEON  BFP640H6327XTSA1  Bipolar - RF Transistor, NPN, 4.5 V, 40 GHz, 200 mW, 50 mA, 110

Win Source:
TRANS RF NPN 4V 50MA SOT343