INFINEON BSO301SPHXUMA1 晶体管, MOSFET, P沟道, -12.6 A, -30 V, 0.0063 ohm, -10 V, -1.5 V
OptiMOS™P P 通道功率 MOSFET
**Infineon** **OptiMOS**™ P 通道电源 MOSFET 设计用于提供增强功能,以便达到质量指标。 特征包括超低切换损耗、通态电阻、雪崩额定值以及达到汽车解决方案的 AEC 标准。 应用包括:直流-直流、电动机控制、汽车和 eMobility。
增强型模式
雪崩等级
低切换和传导功率损耗
无铅引线电镀;符合 RoHS 标准
标准封装
OptiMOS™ P 通道系列:温度范围为 -55°C 至 +175°C
得捷:
MOSFET P-CH 30V 12.6A 8DSO
欧时:
Infineon OptiMOS P 系列 Si P沟道 MOSFET BSO301SPHXUMA1, 14.9 A, Vds=30 V, 8引脚 DSO封装
立创商城:
P沟道 30V 12.6A
e络盟:
INFINEON BSO301SPHXUMA1 晶体管, MOSFET, P沟道, -12.6 A, -30 V, 0.0063 ohm, -10 V, -1.5 V
艾睿:
Make an effective common gate amplifier using this BSO301SPHXUMA1 power MOSFET from Infineon Technologies. Its maximum power dissipation is 1790 mW. This P channel MOSFET transistor operates in enhancement mode. This MOSFET transistor has a minimum operating temperature of -55 °C and a maximum of 150 °C. This device is made with optimos technology.
安富利:
Trans MOSFET P-CH 30V 12.6A 8-Pin DSO T/R
TME:
Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -12.6A; 1.79W; PG-DSO-8
Verical:
Trans MOSFET P-CH 30V 12.6A Automotive 8-Pin DSO T/R
额定功率 1.79 W
针脚数 8
漏源极电阻 0.0063 Ω
极性 P-Channel
耗散功率 1.79 W
漏源极电压Vds 30 V
连续漏极电流Ids 12.6A
上升时间 22 ns
输入电容Ciss 4430pF @25VVds
下降时间 110 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 2500 mW
安装方式 Surface Mount
引脚数 8
封装 SOIC
长度 5 mm
宽度 4 mm
高度 1.65 mm
封装 SOIC
工作温度 -55℃ ~ 150℃
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
制造应用 Onboard charger
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
REACH SVHC版本 2015/12/17
型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
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BSO301SPHXUMA1 Infineon 英飞凌 | 当前型号 | 当前型号 |
SI4435DY 飞兆/仙童 | 功能相似 | BSO301SPHXUMA1和SI4435DY的区别 |
BSO203SPHXUMA1 英飞凌 | 功能相似 | BSO301SPHXUMA1和BSO203SPHXUMA1的区别 |
SI4425DDY-T1-GE3 威世 | 功能相似 | BSO301SPHXUMA1和SI4425DDY-T1-GE3的区别 |