BSC190N12NS3GATMA1概述
晶体管, MOSFET, N沟道, 44 A, 120 V, 0.0166 ohm, 10 V, 3 V
Summary of Features:
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- Excellent switching performance
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- World’s lowest R DSon
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- Very low Q g and Q gd
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- Excellent gate charge x R DSon product FOM
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- RoHS compliant-halogen free
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- MSL1 rated 2
Benefits:
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- Environmentally friendly
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- Increased efficiency
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- Highest power density
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- Less paralleling required
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- Smallest board-space consumption
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- Easy-to-design products
BSC190N12NS3GATMA1中文资料参数规格
技术参数
额定功率 69 W
针脚数 8
漏源极电阻 0.0166 Ω
极性 N-CH
耗散功率 69 W
阈值电压 3 V
漏源极电压Vds 120 V
连续漏极电流Ids 8.6A
上升时间 16 ns
输入电容Ciss 2300pF @60VVds
下降时间 4 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 69W Tc
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 8
封装 PG-TDSON-8
外形尺寸
封装 PG-TDSON-8
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
制造应用 Or-ing switches and circuit breakers in 48V systems, Class D audio amplifiers, Synchronous rectification for AC-DC SMPS, Isolated DC-DC converters telecom and datacom systems
符合标准
RoHS标准
含铅标准 Lead Free
BSC190N12NS3GATMA1引脚图与封装图 
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