BUT11-S参数规格_中文资料_数据手册PDF

BUT11-S概述

TO-220 NPN 400V 5A

Bipolar BJT Transistor NPN 400V 5A 12MHz 100W Through Hole TO-220

得捷:
TRANS NPN 400V 5A TO220

艾睿:
Trans GP BJT NPN 400V 5A 3-Pin3+Tab TO-220

BUT11-S中文资料参数规格

技术参数

极性 NPN

击穿电压集电极-发射极 400 V

集电极最大允许电流 5A

最小电流放大倍数hFE 20 @500mA, 5V

额定功率Max 100 W

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -65 ℃

耗散功率Max 100000 mW

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 3

封装 TO-220-3

外形尺寸

封装 TO-220-3

物理参数

材质 Silicon

工作温度 -65℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Bulk

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买BUT11-S

型号： BUT11-S

制造商： Bourns J.W. Miller 伯恩斯

描述：TO-220 NPN 400V 5A

替代型号BUT11-S

型号/品牌	代替类型	替代型号对比
BUT11-S Bourns J.W. Miller 伯恩斯	当前型号	当前型号
BUT11TU 飞兆/仙童	类似代替	BUT11-S和BUT11TU的区别

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BUT11-S

Bourns J.W. Miller 伯恩斯

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BUT11TU

飞兆/仙童

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