BYVB32-100-E3/81参数规格_中文资料_数据手册PDF

BYVB32-100-E3/81概述

Diode Switching 100V 18A 3Pin2+Tab TO-263AB T/R

Diode Array 1 Pair Common Cathode Standard 100V 18A Surface Mount TO-263-3, D²Pak 2 Leads + Tab, TO-263AB

得捷:
DIODE ARRAY GP 100V 18A TO263AB

贸泽:
Rectifiers 18 Amp 100 Volt

艾睿:
Diode Switching 100V 18A 3-Pin2+Tab TO-263AB T/R

安富利:
Diode Switching 100V 18A 3-Pin2+Tab TO-263AB T/R

富昌:
18 A 100 V 25 ns 双共阴极表面贴装超快整流器 -TO-263AB

BYVB32-100-E3/81中文资料参数规格

技术参数

正向电压 1.15V @20A

反向恢复时间 25 ns

正向电流 18 A

正向电压Max 1.15V @20A

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min 65 ℃

封装参数

安装方式 Surface Mount

封装 TO-263-3

外形尺寸

长度 10.45 mm

宽度 9.14 mm

高度 4.83 mm

封装 TO-263-3

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买BYVB32-100-E3/81

型号： BYVB32-100-E3/81

描述：Diode Switching 100V 18A 3Pin2+Tab TO-263AB T/R

替代型号BYVB32-100-E3/81

型号/品牌	代替类型	替代型号对比
BYVB32-100-E3/81 Vishay Semiconductor 威世	当前型号	当前型号
BYVB32-200HE3/81 威世	完全替代	BYVB32-100-E3/81和BYVB32-200HE3/81的区别
UGB18DCT-E3/45 威世	类似代替	BYVB32-100-E3/81和UGB18DCT-E3/45的区别
UGB18DCT-E3/81 威世	类似代替	BYVB32-100-E3/81和UGB18DCT-E3/81的区别