高电压晶体管，ON Semiconductor### 标准带 S 前缀的制造商部件号具有汽车资格，符合 AEC-Q101 标准。### 双极性晶体管，On SemiconductorON Semiconductor 的各种双极晶体管，包括以下类别：小信号晶体管 功率晶体管 双晶体管 复合晶体管对 高电压晶体管 射频晶体管 双极/FET 晶体管
高电压，
### 标准
带 S 前缀的制造商部件号具有汽车资格，符合 AEC-Q101 标准。
### ，On Semiconductor
ON Semiconductor 的各种双极晶体管，包括以下类别：
小信号晶体管
功率晶体管
双晶体管
复合晶体管对
高电压晶体管
射频晶体管
双极/FET 晶体管
频率 4 MHz
额定电压DC 500 V
额定电流 4.00 A
极性 NPN
耗散功率 50 W
增益频宽积 4 MHz
击穿电压集电极-发射极 500 V
集电极最大允许电流 4A
最小电流放大倍数hFE 5 @2A, 5V
额定功率Max 50 W
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -65 ℃
耗散功率Max 50 W
安装方式 Through Hole
引脚数 3
封装 TO-220-3
长度 10.28 mm
宽度 4.82 mm
高度 15.75 mm
封装 TO-220-3
材质 Silicon
工作温度 -65℃ ~ 150℃ TJ
产品生命周期 Unknown
包装方式 Tube
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
ECCN代码 EAR99
| 型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
|---|---|---|
BUH50G ON Semiconductor 安森美 | 当前型号 | 当前型号 |
BUH50 安森美 | 完全替代 | BUH50G和BUH50的区别 |
BUL39D 意法半导体 | 功能相似 | BUH50G和BUL39D的区别 |