INFINEON BSC030P03NS3GAUMA1 晶体管 双极预偏置/数字, BRT, TDSON
OptiMOS™P P 通道功率 MOSFET
**Infineon** **OptiMOS**™ P 通道电源 MOSFET 设计用于提供增强功能,以便达到质量指标。 特征包括超低切换损耗、通态电阻、雪崩额定值以及达到汽车解决方案的 AEC 标准。 应用包括:直流-直流、电动机控制、汽车和 eMobility。
增强型模式
雪崩等级
低切换和传导功率损耗
无铅引线电镀;符合 RoHS 标准
标准封装
OptiMOS™ P 通道系列:温度范围为 -55°C 至 +175°C
得捷:
MOSFET P-CH 30V 25.4/100A 8TDSON
立创商城:
P沟道 30V 25.4A 100A
欧时:
Infineon OptiMOS P 系列 Si P沟道 MOSFET BSC030P03NS3GAUMA1, 100 A, Vds=30 V, 8引脚 TDSON封装
贸泽:
MOSFET P-Ch -30V 25.4A TDSON-8 OptiMOS P3
e络盟:
晶体管, MOSFET, BRT, P沟道, -100 A, -30 V, 0.0023 ohm, -10 V, -2.5 V
艾睿:
Amplify electronic signals and switch between them with the help of Infineon Technologies&s; BSC030P03NS3GAUMA1 power MOSFET. Its maximum power dissipation is 2500 mW. Tape and reel packaging will encase this product during shipment, in order to ensure safe delivery and enable quick mounting of components. This MOSFET transistor has an operating temperature range of -55 °C to 150 °C. This P channel MOSFET transistor operates in enhancement mode. This device utilizes optimos technology.
安富利:
Trans MOSFET P-CH 30V 25.4A 8-Pin TDSON T/R
TME:
Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -100A; 125W; PG-TDSON-8
Verical:
Trans MOSFET P-CH 30V 25.4A Automotive 8-Pin TDSON EP T/R
Newark:
# INFINEON BSC030P03NS3GAUMA1 Bipolar Pre-Biased / Digital Transistor, BRT, TDSON
额定功率 125 W
通道数 1
针脚数 8
漏源极电阻 0.0023 Ω
极性 P-Channel
耗散功率 125 W
阈值电压 2.5 V
漏源极电压Vds 30 V
漏源击穿电压 30 V
连续漏极电流Ids 25.4A
上升时间 105 ns
输入电容Ciss 10500pF @15VVds
下降时间 33 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 125 W
安装方式 Surface Mount
引脚数 8
封装 TDSON-8
长度 5.9 mm
宽度 5.15 mm
高度 1.27 mm
封装 TDSON-8
工作温度 -55℃ ~ 150℃
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
制造应用 Industrial, Consumer Electronics, Motor Drive & Control, Power Management, Motor Drive & C, Power Management, Industrial, 消费电子产品, Consumer Electronics, 电源管理
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
REACH SVHC版本 2015/12/17