INFINEON BSC080P03LSGAUMA1 场效应管, MOSFET, P沟道, -30V, -30A, TDSON-8
OptiMOS™P P 通道功率 MOSFET
**Infineon** **OptiMOS**™ P 通道电源 MOSFET 设计用于提供增强功能,以便达到质量指标。 特征包括超低切换损耗、通态电阻、雪崩额定值以及达到汽车解决方案的 AEC 标准。 应用包括:直流-直流、电动机控制、汽车和 eMobility。
增强型模式
雪崩等级
低切换和传导功率损耗
无铅引线电镀;符合 RoHS 标准
标准封装
OptiMOS™ P 通道系列:温度范围为 -55°C 至 +175°C
得捷:
MOSFET P-CH 30V 16A/30A TDSON-8
欧时:
Infineon OptiMOS P 系列 Si P沟道 MOSFET BSC080P03LSGAUMA1, 30 A, Vds=30 V, 8引脚 TDSON封装
贸泽:
MOSFET SMALL SIGNAL+P-CH
e络盟:
晶体管, MOSFET, BRT, P沟道, -30 A, -30 V, 0.0061 ohm, -10 V, -1.5 V
艾睿:
As an alternative to traditional transistors, the BSC080P03LSGAUMA1 power MOSFET from Infineon Technologies can be used to both amplify and switch electronic signals. Its maximum power dissipation is 2500 mW. This product will be shipped in tape and reel packaging so that components can be mounted effectively. This device utilizes optimos technology. This MOSFET transistor has an operating temperature range of -55 °C to 150 °C. This P channel MOSFET transistor operates in enhancement mode.
安富利:
Trans MOSFET P-CH 30V 16A 8-Pin TDSON T/R
TME:
Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -30A; 89W; PG-TDSON-8
Verical:
Trans MOSFET P-CH 30V 16A Automotive 8-Pin TDSON EP T/R
Newark:
# INFINEON BSC080P03LSGAUMA1 MOSFET, P CH, -30V, -30A, TDSON-8
额定功率 89 W
通道数 1
针脚数 8
漏源极电阻 0.0061 Ω
极性 P-Channel
耗散功率 89 W
漏源极电压Vds 30 V
连续漏极电流Ids 16A
上升时间 87 ns
输入电容Ciss 4620pF @15VVds
下降时间 108 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 2500 mW
安装方式 Surface Mount
引脚数 8
封装 TDSON-8
长度 5.9 mm
宽度 5.15 mm
高度 1.27 mm
封装 TDSON-8
工作温度 -55℃ ~ 150℃
产品生命周期 Not Recommended for New Designs
包装方式 Tape & Reel TR
制造应用 Onboard charger
RoHS标准
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
REACH SVHC版本 2015/12/17
型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
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BSC080P03LSGAUMA1 Infineon 英飞凌 | 当前型号 | 当前型号 |
SI7491DP-T1-GE3 威世 | 功能相似 | BSC080P03LSGAUMA1和SI7491DP-T1-GE3的区别 |